安森德半导体集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，深圳安森德半导体有限公司提交的100V 6.8mRMOS集成电路布图设计（ASS13K0N10MA1）正式通过审核并获得专有权公告，这标志着该款功率半导体相关的布图设计的知识产权得到国家层面的官方确认，将为企业后续的产品商业化落地、市场权益维护提供坚实的知识产权支撑。本次公告是国家知识产权局落实集成电路领域知识产权保护、助力国内半导体企业技术成果确权的常规公示环节，相关布图设计的技术细节、权属信息均通过官方渠道向社会公开，可有效避免后续的知识产权纠纷风险。

本次公示的相关信息维度完整清晰，本次公告的发布时间为2026年9月，对应的布图设计登记号为BS.265550386，该布图设计于2026年4月8日正式提交申请，最终在2026年9月2日完成公告流程，对应的公告号为98906。本次获得授权的布图设计全称为100V 6.8mRMOS集成电路布图设计（ASS13K0N10MA1），专有权归属深圳安森德半导体有限公司，该布图设计由顾志国、陈兵、赵江峰、田园农四名核心技术人员共同研发完成，创作完成日为2025年5月12日，且该设计已于2026年2月3日启动首次商业利用，技术落地进度处于行业较快水平。

天眼查数据显示，深圳安森德半导体有限公司成立日期2018年6月7日，法定代表人陈兵，所属行业为软件和信息技术服务业，企业类型为有限责任公司，企业规模为小型，参保人数33人，注册资本2200万人民币，实缴资本2119.589562万人民币，注册地址为深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区坂澜大道107号深圳工业软件园1栋D座803。股东信息如下：

点评分析
本次安森德半导体这款100V功率MOS的布图设计获国家知识产权局授权，核心技术成果完成官方确权，既为后续产品商业化落地筑牢知识产权护城河，也能有效规避同业知识产权纠纷风险，为这家小型半导体企业的市场权益维护、技术成果转化提供了关键的合规支撑。

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