深圳安森德半导体集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，深圳安森德半导体有限公司的一款功率半导体相关布图设计正式通过国家知识产权局审查并获得专有权公告，标志着该企业在高压低阻MOS器件领域的自主研发成果得到官方知识产权层面的权威确认，将为其后续产品市场化推广、技术权益保护筑牢核心支撑。

本次公告的布图设计聚焦60V电压等级、1.3毫欧极低导通电阻的MOS集成电路方向，是国内半导体企业在功率器件性能优化赛道上的又一落地成果，将进一步丰富国内工业级功率半导体的自主供给选择。

从本次披露的完整信息来看，该布图设计相关的官方公告发布时间与公告日期均为2026年9月2日，对应布图设计登记号为BS.265550203，企业于2026年4月8日正式向国家知识产权局提交该布图设计的专有权申请，最终以98903号公告完成对外公示。这款名为60V1.3mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N06MA1）的成果，专属权利人为深圳安森德半导体有限公司，由顾志国、陈兵、赵江峰、田园农四名核心研发人员共同完成创作，创作完成时间为2025年1月12日，后续该布图设计已于2025年10月7日启动首次商业利用，本次获得官方专有权公告将为其商业化落地全程提供规范的知识产权权益保障。

天眼查数据显示，深圳安森德半导体有限公司成立日期2018年6月7日，法定代表人陈兵，所属行业为软件和信息技术服务业，企业类型为有限责任公司，企业规模为小型，参保人数33人，注册资本2200万人民币，实缴资本2119.589562万人民币，注册地址为深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区坂澜大道107号深圳工业软件园1栋D座803。股东信息如下：

点评分析
深圳安森德半导体这款60V低阻MOS布图设计获国家专有权确认，既实现了核心研发成果的官方知识产权确权，也为已启动商业化的相关产品筑牢权益保护屏障，能有效扫清后续市场推广的知识产权风险，夯实其在高压低阻功率器件赛道的差异化竞争优势，也为国产工业级功率半导体自主供给补充了优质选项。

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