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内存定价并非由需求主导 而是带明确期限的供应受限所致

导读:内存定价并非由需求主导 而是带明确期限的供应受限所致

本轮半导体复苏并非需求激增驱动,核心支撑为头部厂商主动限产形成的供给紧平衡,而非单纯AI需求拉动存储芯片价格上涨。

关键核心数据:

  • 美光最新财季DRAM平均售价环比涨超60%,带动营收环比增74%,位出货量未同步增长;此前财季NAND闪存营收环比增82%,均价涨约78%,位出货量仅增2%
  • 2026年DRAM预计供给缺口4%-6%,2027年收窄至2%-3%
  • 2026年三星、SK海力士、美光三家存储芯片厂商总资本开支超580亿美元;美光过去12个月资本投入252.6亿美元,毛利率72.57%,营业利润率65.63%,自由现金流同比飙升1291%,年内股价累计涨296.7%,过去12个月滚动涨幅达806.6%,当前总市值1.28万亿美元,动态市盈率25.3倍;三家头部厂商市值半年内均增长四倍,突破1万亿美元

当前市场已消化紧供给格局永久延续的预期,核心上行支撑逻辑为三大厂商执行供应纪律维持定价权,但高额资本开支正在为后续新增产能铺路,存在限产纪律松弛、产能集中落地打破供给紧平衡的潜在风险,AI需求并非当前周期核心风险点。

后续投资者需重点关注2027年新产能集中落地阶段,三星、SK海力士、美光能否持续维持当前的供应约束政策,当前数据仅能支撑行业高景气延续至2027年中期。

译文内容由第三方软件翻译。

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