银河微电：关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的公告

常州银河世纪微电子股份有限公司 关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目 的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

重要内容提示:

? 项目名称:高端核心器件产业化及创新能力建设项目

本项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房 建设项目”的延续和产业化落地环节,前置项目主要完成土地购置及厂房土 建等基础设施,本项目主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、 产线调试及客户验证。

本项目投资将按照“整体规划、分步实施、分批投入”的原则推进,根 据市场情况、客户验证进度及产能消化情况动态安排资金投入节奏。 ? 项目金额:项目总投资估算约人民币10.78亿元

? 已履行的审议程序:常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称“公 司”)2026年9月21日召开第四届董事会第十一次会议,审议通过《关于 投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》,本次项目投资 事项无需提交公司股东会审议。

特别风险提示:

1、本项目可行性研究基于当前宏观经济、产业政策、市场供需及产品 价格等假设条件。若上述条件发生重大变化,项目预期效益可能受到影响。

2、本项目不涉及新增土建,但需完成厂房装修改造、设备购置安装、 产线调试及客户验证等工作。若设备交付、调试进度、客户导入或资金安排 不及预期,项目可能延期实施或不能按期达产,新增折旧摊销可能对公司经

营业绩造成压力。

3、本项目资金来源为自有资金或自筹资金,若通过银行借款等自筹方 式融资,可能新增财务费用,对公司经营业绩和现金流产生一定影响。

4、项目新增产能规模较大,若下游需求增长放缓、客户导入不及预期、 市场开拓滞后或行业竞争加剧,新增产能可能存在无法及时消化的风险。

5、本项目备案已完成,但环评、安评、能评等专项审批手续尚需办理, 若审批标准、办理节奏或政策要求发生变化,可能影响项目后续推进进度。

一、项目投资概述

1、公司为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力,扩大集成 电路分立器件产品的生产规模,拟以自有或自筹资金人民币10.78亿元投资实施 “高端核心器件产业化及创新能力建设项目”(以下简称“项目”)。

2、公司2026年9月21日召开第四届董事会第十一次会议,审议通过《关于投 资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》,并同意授权公司管理层办 理该项目投资的所有后续事项,包括但不限于办理相关审批手续、确定及签署相 关协议与文件、项目建设运营等各项具体工作。

3、本次投资事项不涉及关联交易,亦不构成《上市公司重大资产重组管理 办法》规定的重大资产重组。根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》及《公 司章程》等相关规定,本次项目投资事项无需提交公司股东会审议。

4、本项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房 建设项目”的延续和产业化落地环节,前置项目具体情况详见公司于2025年7月 12日披露于上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)的《关于投资高端集成电路 分立器件产业化基地一期厂房建设项目的公告》(公告编号:2025-033)。前置 项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施,本项目不涉及新增土建,主要在 一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。

二、项目基本情况

1、项目名称:高端核心器件产业化及创新能力建设项目

2、产品定位:本项目所涉产品,是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进

芯片结构,通过AEC-Q101等高可靠性认证,面向新能源汽车、储能、工业等高 门槛场景,具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半 导体器件;主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、 车规TVS/ESD等,区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

3、实施主体:常州银河世纪微电子股份有限公司

4、实施地点:江苏省常州市新北区薛家镇云河西路98号

5、投资规模:项目总投资估算约人民币10.78亿元(最终投资金额以项目建 设实际投入为准,项目投资将按照整体规划,并根据市场情况、客户导入及产能 消化进度等分阶段、分批投入。)

6、资金来源:自有资金或自筹资金,后续如需改变资金来源,将根据规定 履行相应审批程序

7、建设周期:3年,具体建设周期以项目基础全面动工开始计算

8、建设内容:厂房车间装修,购置生产设备及配套设备,建设新产线,实 现公司集成电路分立器件升级产品小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品 的落地量产。

9、预计开工时间:2027/1/1

10、是否属于主营业务范围:是

三、项目必要性、可行性分析

1、项目必要性分析

(1)半导体分立器件是电子设备的基础元器件,相关产品在耐压、损耗、 精度、稳定性等方面要求较高,广泛应用于汽车电子、工业控制、新能源等领域。 当前国内相关产品供给仍有提升空间,公司现有产能主要面向常规产品,相关产 能存在一定缺口。本项目将实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的 规模化量产,有助于补充公司相关产能,提升相关产品供给能力。

(2)半导体分立器件市场持续发展,功率器件成为重要增长点。根据WSTS、 中国半导体行业协会等统计,2019年中国半导体分立器件市场规模为2,772亿元, 2025年增长至3,630亿元,复合年均增长率为4.60%。新能源汽车、储能、工业控 制等下游领域发展,将带动功率器件等产品需求。本项目实施有利于公司把握市

场机遇,扩大相关产品收入,提升盈利能力。

(3)公司现阶段产品以常规分立器件为主,相关产品布局相对不足。本项 目将新建产线,实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化生产, 丰富产品矩阵,优化产品结构,增强综合竞争力。

2、项目可行性分析

(1)近年来,国家陆续出台《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023 年)》《关于推动能源电子产业发展的指导意见》《产业结构调整指导目录(2024 年本)》《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》等政策,支持新型电子 元器件、功率半导体等产业发展,为项目实施提供了政策基础。

(2)公司已建立较为完整的半导体分立器件技术体系和工艺平台,在封装 测试等环节形成了多项核心技术,具备项目实施所需的技术基础。本项目产品与 现有工艺体系衔接性较强,技术风险总体可控。

(3)公司深耕半导体分立器件行业多年,客户覆盖汽车电子、工业控制、 新能源等领域,具备一定的客户基础和品牌认可度。现有客户群体和销售渠道可 为项目产品导入提供支持,为新增产能消化提供一定市场基础。

四、对公司的影响

项目实施符合公司整体发展战略,其实施将有助于公司丰富产品系列,扩大 公司产品市场覆盖范围,为公司创建新的营收增长点,提高公司盈利能力和竞争 力,同时有利于公司提升产品供给能力和系统方案交付能力,深化与上下游企业 的合作关系,巩固和提升市场地位,对促进公司长期稳定发展具有重要意义。

五、相关风险提示

1、本项目可行性研究基于当前宏观经济、产业政策、市场供需及产品价格 等假设条件。若上述条件发生重大变化,项目预期效益可能受到影响。

2、本项目不涉及新增土建,但需完成厂房装修改造、设备购置安装、产线 调试及客户验证等工作。若设备交付、调试进度、客户导入、分批投入安排或资 金安排不及预期,项目可能延期实施或不能按期达产,新增折旧摊销可能对公司 经营业绩造成压力。

3、本项目资金来源为自有资金或自筹资金,若通过银行借款等自筹方式融 资,可能新增财务费用,对公司经营业绩和现金流产生一定影响。

4、项目新增产能规模较大,若下游需求增长放缓、客户导入不及预期、市 场开拓滞后或行业竞争加剧,新增产能可能存在无法及时消化的风险。

5、本项目备案已完成,但环评、安评、能评等专项审批手续尚需办理,若 审批标准、办理节奏或政策要求发生变化,可能影响项目后续推进进度。

敬请广大投资者谨慎决策,注意投资风险。

特此公告。

常州银河世纪微电子股份有限公司董事会

2026 年9 月22 日