中欣晶圆申请破除真空装置相关专利，该装置平稳破真空，防硅片损提良品率

10月8日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片端面研磨机用破除真空装置及其控制方法”的专利。申请公布号为CN122851461A，申请号为CN202610869714.9，申请公布日期为2026年10月2日，申请日期为2026年6月16日，发明人杨石平，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号B24B37/10、B24B37/04、B24B37/30、B24B37/34、B24B55/00、B24B37/005、B24B49/16、B24B1/00、H10P52/00、G08B21/18。

专利摘要显示，本发明涉及一种硅片端面研磨机用破除真空装置及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括下机架、真空吸盘、研磨盘及真空吸附破除组件；真空吸附破除组件包括三通接头，三通接头分别通过设有真空管道、CDA管道与真空吸盘连通。控制方法包括：硅片吸附固定时开启真空单向电磁阀；研磨完成后，通过PLC控制器互锁控制关闭真空单向电磁阀，延时后开启CDA单向电磁阀，通入压缩空气正压破除真空。通过PLC互锁控制与CDA正压吹气破真空相结合，实现了吸附与破除的可靠切换，破真空速度快、平稳，有效避免了硅片因真空未及时破除造成的取片困难或碎裂风险；同时结合压力监测实现闭环确认与故障报警，显著提升了硅片研磨加工的自动化程度与良品率。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本122666.67万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息489条，拥有行政许可24个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

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