7750 亿美元，最后都变成了谁的订单？——AI 超级周期下的设备景气传导全景

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　　来源：半导体行业观察

　　摘要：十三个核心判断

　　1． 需求源头未见顶。四大 Hyperscaler（微软/谷歌/亚马逊/Meta）2026 年资本开支指引合计约 7，250 亿美元（同比 +77%），加上甲骨文超 7，750 亿美元；2026 年 4 月底财报季四家全部上调、无一下调。摩根士丹利、摩根大通、美银对 2027 年的预测已收敛于“1.1 万亿美元”——约等于标普 500 全部非科技公司资本开支之和。宏观上这笔账算得过来：按“AI 拉动全球 GDP 10% × 头部模型约 75% 推理毛利率”反推，可支撑约 3 万亿美元/年的资本开支；供给端的物理天花板（由 ASML 光刻机产量定义）约 4–5 万亿——详见 1.6 五步宏观账。

　　2． 传导链条完整成立，且被“内存涨价”放大。AI CAPEX → 芯片（英伟达 FY2026 数据中心收入 1，973 亿美元，+71%；博通 FY2026 AI 收入指引约 560 亿美元，+180%）→ 存储超级周期（美光单季营收同比 4.5 倍、毛利率 84.9%）→ 晶圆厂扩产（台积电 2026 CAPEX 520–560 亿美元、存储三巨头集体上调）→ 设备采购。SemiAnalysis 测算内存将占 2026 年 Hyperscaler CAPEX 约 30%（2023/24 年仅约 8%）。

　　3． 半导体销售额大盘经历“史上最大年中改写”，传导第一环得到统计验证。WSTS 年初对 2026 年全球半导体销售额的预测为 9，754 亿美元，6 月春季修订直接上调至 1.51 万亿美元（+90%）——一次上修约 5，350 亿美元，为该统计设立以来最大幅度，行业首次跨过 1 万亿美元门槛；存储一项超 8，000 亿美元（约 +250%），历史上第一次占到全行业收入的半壁江山。半导体对全球 GDP 增速的倍数从长期约 2 倍跳升至 20–30 倍——行业正在脱离宏观周期，改跟 Scaling Law 走（详见 2.3）。

　　4． WFE 共识经历了一次罕见的“半年内大迁移”。2025 年 12 月 SEMI 对 2026 年 WFE 的预测还是 +9%；2026 年 5–7 月，摩根士丹利（1，490 亿美元，+27%）、UBS（1，470 亿）、Mizuho（1，530 亿）、伯恩斯坦（1，480 亿）集中上修至 +21%~28%；2027 年预测中枢已上移至 1，750 亿–2，100 亿美元。触发因素是存储超级周期确立与台积电/三星 CAPEX 上修；共识追不上的机制，与谷歌 2023 年在 TPU 上的教训同源——用线性思维预测指数世界（详见 4.5）。美银 1 月已定性本轮为“WFE 超级周期的起点”；卖方拆解模型显示 2027/2028 年全球设备供需存在约 14% 的硬缺口（4.6），EUV 供需差要到 2029 年才收敛（趋势四）。

　　5． 设备公司自身指引印证上行：应用材料称其设备业务 2026 自然年增长“超过 30%”；泛林对 2026 年 WFE 的判断从“1，350 亿美元”上调至“1，400 亿美元、且偏上行”；东京电子给出“CY2026–2027 每年 1，500–1，700 亿美元”的激进口径；ASML 把 2026 年营收指引从 340–390 亿欧元上调至 360–400 亿欧元，并计划 2026 年出货至少 60 台 Low-NA EUV（常年 40–50 台）。更新的信号是定价权：日系设备商开始系统性涨价（东京电子的目标是把毛利率提到 50% 以上），SK 海力士据报道已收到 3–4% 的设备涨价要求——“设备通胀”启动（详见 5.7）。

　　6． 结构比总量更重要：2026 年 WFE 增量的 80% 以上来自先进逻辑（2nm/GAA/背面供电）+ DRAM（HBM）+ 先进封装（AMAT 口径）；NAND 是低基数升级复苏（占 WFE 不足 10%）；成熟制程与模拟/车规 CAPEX 纪律性收缩（TI 砍半、英飞凌持平、瑞萨后移）。设备行业进入“AI 强分化”时代，不再是齐涨齐跌的传统周期。

　　7． 先进封装升格为“第二摩尔定律”——对中国是生死问题，不是效率问题。单颗芯片已顶到约 858mm² 的光罩物理极限，性能接力棒交给封装：台积电 CoWoS 封装面积从 2016 年 1.5 倍光罩扩到 2026 年 5.5 倍、2029 年规划 14 倍以上，产能两年翻两番仍供不应求。中国受限于 DUV，单颗芯片晶体管约为英伟达的 1/3–1/2（推算口径），必须靠先进封装把多颗“做得出来的”小芯片拼成一颗大的——封装设备（键合/减薄/电镀与 TSV/检测/FAU 耦合）以 30–50% 的增速成为设备行业最快的细分，也是国产设备离第一梯队最近的赛道（详见趋势二）。

　　8． 测试与后道是增速最高的子板块。2025 年测试设备市场 +48%（SEMI）；爱德万 FY2025 营收 +44.7%、首破 1 兆日元，推算 CY2025 测试机市场 +50%；泰瑞达 2026Q1 营收 +87%，“约 70% 收入与 AI 挂钩”。后道呈“订单先行”：ASMPT 2026Q1 订单 +71.6%（TCB 收入 2025 年 +146%），BESI 订单 +104.5%（混合键合里程碑之年），DISCO 出货额连续创新高（HBM 减薄驱动研磨机 +26%）。

　　9． 中国市场进入“总量高位缓降 + 结构剧烈换血”的双轨道。海外五大设备商中国区收入占比从 2024 年约 40% 峰值集体回落至 2026 年的 20–30%（ASML 2026Q1 仅 19%）；但同期中国本土设备商收入普遍 +30%~+60%，北方华创以 2025 年约 393 亿元收入跻身全球设备商第一梯队（国内卖方有“超越科磊、升至第五”的口径，与 Gartner 份额榜的统计范围存在差异，见附录 B）。伯恩斯坦估 2026 年中国本土设备商收入 150 亿美元（+36%）。

　　10． 2026 年国产设备最大的边际增量是存储扩产：长存三期（国产设备占比目标 50%+）、长鑫 30 万片/月目标与 HBM 产线、二季度两家同步招标，业内测算全年招标量 +35%。国产化率两套口径（收入口径约 21%、招标口径部分环节 50%+）差异巨大，使用时必须注明。

　　11． 地缘变量的关键日期是 2026 年 11 月 10 日：中美“吉隆坡休战”下互相暂停的 50% 穿透规则与稀土管制同日到期。休战期内美方设备管制零松动（VEU 撤销未恢复、先进制程推定拒绝依旧），执法反而趋严（应用材料 2.52 亿美元罚单）；中方以稀土“14nm/256 层”条款首次形成对美日荷设备供应链的对等威慑。MATCH 法案是下一个悬念。

　　12． 风险不在需求，而在财务结构与物理约束：巴克莱测算 Meta 自由现金流 2027 年转负、微软 2028 年末转负；甲骨文 CDS 创历史新高、FY2026 自由现金流 -237 亿美元；变压器/燃气轮机交付周期 4–7 年；2026 年 6 月 23 日全球 AI 抛售日（Kospi 熔断、半导体板块单日蒸发约 1.3 万亿美元市值）演示了估值层面的脆弱性。对设备行业，真正的下行触发器是“2027 年后 HBM 供给过剩 + Hyperscaler 折旧压力倒逼 CAPEX 减速”的组合。

　　13． 零部件正在成为扩产周期“瓶颈中的瓶颈”。零部件约占设备价值量四成（2025 年全球约 5，000 亿元人民币量级，卖方测算），设备市场每上一个台阶，零部件需求以约 0.4：1 跟涨；但供给端高度分化——海外主力（日本石英/陶瓷件扩产仅 5–10%、美国世伟洛克基本不扩、射频电源 MKS/AE 扩产不足 10%）普遍保守，而零部件多为重资产、扩产周期 12–18 个月，缺口持续拉大。海外多品类交期已从 3–4 个月拉长至 6–8 个月甚至一年以上，涨价 10–30%；国产厂商前瞻扩产+海外设备龙头主动来华寻源，叠加补库、经营杠杆、出海、涨价四重逻辑——零部件的利润弹性数倍于设备整机（详见第六章，数据多为卖方与产业调研口径）。

　　第一章

　　需求源头：AI 资本开支——通往万亿美元的超级周期

　　1.1 五大 Hyperscaler：指引全线上调

　　半导体设备需求的最上游，是云厂商为 AI 基础设施支付的资本开支。2026 年 4 月底的财报季给出了一个罕见的信号：四大 Hyperscaler 全部上调 2026 年指引，无一家下调。

　　四大合计：2024 年约 2，430–2，510 亿 → 2025 年约 4，100 亿（+63%）→ 2026E 约 7，250 亿（+77%）；加甲骨文后五大约 7，750 亿以上。增速不是在放缓，而是在加速。

　　管理层的定性表态高度一致：微软 CFO Amy Hood 称“客户需求持续超过我们的供给”，且单季 CAPEX 约三分之二投向 GPU/CPU 等短寿命资产；谷歌 Pichai 直言“近期算力受限，否则云收入会更高”（Google Cloud 积压订单达 2，400 亿美元，环比 +55%）；甲骨文披露 RPO（剩余履约义务）6，380 亿美元、同比 +363%，全球 GPU 利用率 97.5%。

　　1.2 卖方共识：2027 年破万亿

　　宏观视角：富国银行测算 2026Q1 美国 AI CAPEX 1，740 亿美元（+72.8%），占 GDP 2.4%、贡献当季 GDP 增长的 42%，并将其类比 1850 年代铁路投资热的峰值强度——“是泡沫，但别对抗行情”。

　　1.3 新变量：NeoCloud 与自建方

　　本轮周期与 2023–2024 的重要区别，是五大之外出现了第二梯队买家：

• CoreWeave：收入积压订单 994 亿美元（2026Q1 末，环比 +近 50%），2026 年 CAPEX 指引 310–350 亿美元；完成首单投资级 GPU 抵押融资（85 亿美元，Moody‘s A3）。

• Nebius：2026 年 CAPEX 指引 200–250 亿美元（自 160–200 亿上调）；手握微软 174 亿、Meta 最高 270 亿美元合同。

• OpenAI：累计算力承诺约 1.4 万亿美元/约 30GW（Oracle 约 3，000 亿、Azure 2，500 亿、AWS 380 亿、博通 10GW 自研 ASIC 等）——注意其中多为多年期意向框架，与年化收入约 250 亿美元（2026 年 2 月）之间存在市场最关注的单点错配。

• xAI：Colossus 2 为全球首个 GW 级单站训练集群（SemiAnalysis），2026 年 2 月被 SpaceX 全股票收购。

• Anthropic：谷歌 2026 年 4 月宣布最高 400 亿美元投资、锁定 5GW 专用 TPU；自报年化收入 470 亿美元（2026 年 5 月）。

　　1.4 CAPEX 的“成色”：涨价通胀与结构

　　一个必须向论坛听众讲清楚的细节：2026 年 CAPEX 增量中含有显著的“涨价通胀”成分。微软明示 1，900 亿指引中约 250 亿归因内存/组件涨价，Meta 与 CoreWeave 的上调理由同样是组件涨价。换言之，名义 CAPEX +77% 并不等于算力装机量 +77%——其中一部分只是给存储厂（进而给存储设备商）的转移支付。这正是传导链在 2026 年被“放大”的机制：同一美元的 AI 预算，流经涨价的 HBM/DRAM/NAND 后，以更高的比例变成了存储厂的利润和 CAPEX。

　　结构拆分（Epoch AI/SemiAnalysis 口径）：数据中心前期建设 CAPEX 中 IT 设备约占 40%（按年化 TCO 口径升至约 60%）；GPU/定制加速器约占总 CAPEX 的三分之一，为最大单项；8 卡 AI 服务器 BOM 中 GPU 占约 83%，而 GPU 成本内部 HBM 占 35–47%（B200 制造成本约 6，400 美元中 HBM3E 约 2，900 美元）。SemiAnalysis 测算 DRAM+NAND+HBM 合计将在 2026 年底超过英伟达 AI 系统成本的 30%、2027 年超 40%。整柜视角看同一件事：GB200 NVL72 单柜的 HBM+内存采购成本约 37 万美元，到 Rubin 世代将升至约 200 万美元、占整柜 BOM 约四分之一，跃居第二大成本项（投行估算）——同一美元 CAPEX 里，流向存储厂的比例还在上升。

　　1.5 需求侧风险扫描（详见第十章）

　　截至 2026 年 7 月，需求侧没有实质见顶证据：无一家 Hyperscaler 下调指引；谷歌月处理 token 量一年增 7 倍；Blackwell GPU 租赁现货价 4 月较 2 月中 +48%。最接近“裂缝”的两个事件是：英伟达对 OpenAI 的 1，000 亿美元投资被报道“停滞”（2026 年 1 月末），以及博通 FQ3 AI 收入指引（160 亿美元）低于买方预期（172 亿）。真正的约束在供给侧：变压器交付周期约 128 周，大型燃气轮机最长等 7 年——电力设备，而非需求，是 2026 年 AI 建设的第一瓶颈。

　　1.6 一本五步的宏观账：“3 万亿美元”有没有道理，天花板在哪

　　前五节给出的都是“指引与共识”。要判断这场资本开支能走多远，业内流传着一本摊开算的五步宏观账（综合一线分析师推演与公开口径整理，数字均可单独核对；整体属情景测算，引用请注明）：

　　1． 单 GW 经济账——2026 年，AI 开始赚钱：以 Meta/微软/谷歌为样本，每 GW 数据中心投资约 250–450 亿美元，按五年折旧年成本 50–90 亿美元；而每 GW 每年可产生约 100–150 亿美元收入——收入第一次系统性地盖过折旧成本。这是“泡沫论”最有力的反方证据。

　　2． GDP 锚定——黄仁勋的“3 万亿”对得上账：全球 GDP 约 126 万亿美元，若 AI 拉动其中 10%（认知革命的乐观情景），即每年约 12.6 万亿美元增量产出；按头部大模型约 75% 的推理毛利率（“投 1 挣 4”）反推，恰可支撑约 3 万亿美元/年的资本开支——与黄仁勋“到 2030 年每年 3 万亿”的口径互相印证。

　　3． 供给上限——天花板由设备定义：硬约束落在 ASML：EUV 存量 200 余台、每年新增六七十台（与第五章 ASML 出货计划一致），推算到 2030 年每年可支撑新增约 200GW 数据中心；乘以每 GW 约 250 亿美元，全行业资本开支的物理天花板约 4–5 万亿美元/年。对本文的主题，这一步的含义再直白不过：在 AI 的宏观账本里，分母是设备——整场革命的上限由光刻机产量定义。

　　4． 谁来出钱——从云厂资产负债表到国家级资本：当前资金几乎全部来自北美云厂（2026 年约 1 万亿美元），且已开始举债（亚马逊数百亿美元债券；另见第九章 Meta/甲骨文的融资结构风险）。从 1 万亿到 4–5 万亿，缺口无法由企业现金流填满——AI 基建终将像铁路、电网一样普惠化，美、中、中东的国家级资本可能是下一阶段最重要的边际买家。

　　5． 远期需求——第一条曲线才走了 1%：今天模型公司的收入本质上仍是单一“coding 曲线”（全球 IT 支出+程序员工资约 5 万亿美元 × 40% 可替代 ≈ 2 万亿美元/年潜在市场，头部公司年化刚过百亿美元，差两个数量级）；agentic 应用的第二、第三条曲线尚未展开；再往后是物理 AI——机器人时代的存储用量按美光口径可达当前的 1，000 倍。

　　这本账对设备行业的意义，是把第四章的“共识大迁移”放进一个更大的坐标系：需求侧的空间（第 2 步）与供给侧的天花板（第 3 步）之间，隔着的正是设备交付能力——第五章“全线排队”的微观事实，恰是这本宏观账在 2026 年的投影。

　　第二章

　　传导第一环：芯片——GPU、ASIC 与存储超级周期

　　2.1 加速器：英伟达、博通、AMD

• 英伟达（财年止 1 月底）：FY2026 数据中心收入 1，973 亿美元（+71%），总收入 2，159 亿（+65%）；FY2027 Q1（止 2026-04-26）数据中心 752 亿美元、同比 +92%，增速不降反升，Q2 指引 910 亿±2%（不含中国）。订单能见度：2026 年 3 月 GTC 上调至“Blackwell+Vera Rubin 至 2027 年订单达 1 万亿美元“。Rubin 平台 2026 下半年出货，三家 HBM4 供应商均已投产。

• 博通（财年止 11 月初）：AI 收入 FY2024 122 亿 → FY2025 200 亿 → FY2026 指引约 560 亿（约 +180%）；FQ2 实际 108 亿（+143%）；CEO Hock Tan 称对 FY2027 超 1，000 亿美元已有“line of sight”。定制加速器客户五家（Google、Meta、Anthropic、OpenAI 等），OpenAI 10GW 自研 ASIC 2026 下半年首批上线。ASIC 放量是 2026 年的关键结构变化——它同时拉动先进制程代工、CoWoS 封装和测试机需求（见第五章爱德万部分）。

• AMD：2026Q1 数据中心收入 58 亿美元（+57%）；市场共识 2026 年数据中心 GPU 收入 +114% 至约 150 亿；OpenAI 6GW 协议的首个 1GW MI450 于 2026 下半年部署。

　　2.2 存储：本轮周期最大的惊奇

　　如果说 2024–2025 的主角是 GPU，2026 年上半年的主角毫无疑问是存储：

• 美光 FQ3 FY2026（2026-06-24 发布）：单季营收 414.6 亿美元（去年同期 93.0 亿，同比约 4.5 倍），毛利率 84.9%，GAAP 净利 282.4 亿，Q4 指引约 500 亿；HBM3E+HBM4 已订满至 2027 日历年，客户长约累计 1，000 亿美元。这组数字是存储史上前所未有的“量价齐升”极端体现（引用时应注明其特殊性）。

• SK 海力士：2025 全年营收 97.15 万亿韩元、营业利润 42.95 万亿；2026Q1 毛利率 79.3%、营业利润率高达 72%——一家重资产制造公司挣出了超过软件公司的利润率；DRAM/NAND/HBM 全线售罄至 2026 年底；HBM 市占约 56%，拿下英伟达 HBM4 约三分之二份额。

• NAND 合约价：2025Q4 +33~38% → 2026Q1 +85~90% → 2026Q2 预计 +70~75%，三个季度累计约 4.2–4.5 倍（TrendForce）。

• HBM 市场规模：2024 约 170 亿 → 2025 约 350–360 亿 → 2026E 450 亿（高盛）~600 亿（Yole）；TrendForce 估 2026 年 HBM 位元需求 +70~77%，其中 ASIC 侧 +80%；AI 将消耗全球 DRAM 晶圆产能的 20%。

　　NAND 的结构性时刻（花旗，2026-06）：Agentic AI 拉爆推理内存需求，而 DRAM 产能受限、成本高企——据报道，英伟达甚至因供应与成本压力把 Rubin NVL72 的 DRAM 容量砍掉一半；行业加速采用 KV Cache Offloading，把推理中不常用的数据从 HBM/DRAM 卸载到企业级 SSD，NAND 正从“被动仓库”升格为“主动推理层”。生态在集体加码：苹果的新架构把大模型直接存入 NAND、AMD 收购预测性内存软件公司、铠侠以 XL-Flash+CXL 把 NAND 做成低延迟中间层内存——整个行业在靠 NAND 强行突破“内存墙”。对设备的含义：第四章“NAND 占 WFE 不足 10%、以升级为主”的共识假设存在上修风险——卖方拆解模型已把 NAND WFE 打到 2026/2027 年连续 +49%/+40%（见 4.6）。

　　对设备行业的含义：存储厂的利润表修复速度决定其 CAPEX 弹性。2025 年存储业 CAPEX 748 亿美元 → 2026 年 835 亿（TrendForce，且美光已在此基础上自行大幅上调），这是 2026 年 WFE 上修的第一驱动力；同时 HBM 的工艺特性（TSV、电镀、键合、减薄、测试）使其单位晶圆设备强度远高于普通 DRAM——HBM 是“设备密集型”存储。

　　2.3 大盘验证：半年内，从“1 万亿”被改写到“1.5 万亿”

　　资本开支最终都要变成芯片销售额。2026 年 6 月，这一环得到了统计口径上最硬的验证：

• WSTS（世界半导体贸易统计组织）春季预测：2026 年全球半导体销售额 1.51 万亿美元、同比 +90%——较其 2025 年 12 月的预测（9，754 亿美元）一次上修约 5，350 亿美元，是该统计设立以来最大的年中改写，行业也首次跨过 1 万亿美元门槛。结构上，存储超 8，000 亿美元（约 +250%），历史上第一次占到全行业收入的半壁江山；逻辑 +37%；美洲区 +112%。对 2027 年，WSTS 给出约 1.9 万亿美元的预测（转述口径）。

• Gartner 两级跳：2025 年 10 月预测 2026 年 9，098 亿美元 → 2026 年 4 月改口超 1.3 万亿美元（+64%）。

• 一个历史性的比值：过去二十年，半导体是典型的“GDP 影子行业”，增速长期约为全球 GDP 增速的 2 倍（2025 年实绩 7，917 亿美元、+25.6%，已约 7 倍）；按 2026 年口径，这一倍数跳升至 20–30 倍。

　　数字剧变背后，本文愿意旗帜鲜明地给出一个定性判断：AI 正在把半导体从“消费逻辑”带入“投资逻辑”。过去买芯片的是换手机的消费者——预算跟着经济周期走，供应链拼价格，“不管性能如何，下一代必须更便宜”；现在买芯片的是把算力当生产资料的企业与国家——只要“投 1 挣 4”的账（见 1.6）算得过来就继续加码，供应链的第一竞争力从价格换轨为交付能力与供货稳定。两个现场证据：英伟达曾愿意“翻倍价格换翻倍供应”而不可得（业内口径）；苹果——晶圆厂二十年的“皇冠客户”——因 AI 客户对同一片 5nm 晶圆出价高约 50%，M4 MacBook 交货期被拉长至 16–18 周（据报道），“消费让位于投资”没有比这更标志性的一幕。对设备行业，这个换轨意味着：判断景气别再盯宏观 PMI，盯 token 用量与资本开支指引；而“涨价→利润→CAPEX→设备”的传导（2.2），在投资逻辑下比消费时代更快、更陡。

　　第三章

　　传导第二环：晶圆厂 CAPEX 全景（采购商的 CAPEX = 设备商的未来收入）

　　3.1 汇总表：2026 年全球主要晶圆厂/IDM 资本开支

　　（来源：各公司财报与电话会，TSMC 1Q26 Transcript、Samsung Newsroom、TrendForce、SEMI 等）

　　3.2 台积电：AI 逻辑的锚

　　台积电 2025 年营收 3.81 万亿新台币（+31.6%），毛利率 4Q25 达 62.3%、1Q26 达 66.2%，均创历史新高；1Q26 美元营收 +40.6%，并把 2026 全年美元增速指引从“约 30%”上调为“>30%”。CAPEX 从 2025 年 409 亿美元跳升至 2026 年 520–560 亿美元（4 月确认偏上端），增量 110–150 亿美元——仅台积电一家的增量就大致相当于 2026 年全球 WFE 预期增量的一半左右。

　　技术与产能节点：N2（首个 GAA 节点）已于 2025Q4 量产；A16（1.6nm 级、背面供电）2H26 量产；亚利桑那 P2 提前至 2026Q3 装机、P3 报道提前一年；熊本二厂规格一路上调至 3nm（但投产推迟至 2029）；CoWoS 先进封装产能从 2024 年底约 35K 片/月扩至 2026 年底约 130K 片/月（约翻两番）仍供不应求，英伟达锁定约 60% 产能，谷歌因 CoWoS 约束将 2026 年 TPU 目标从 400 万片下调至 300 万片——这是“供给约束而非需求不足”的最佳注脚。对 2027 年，高盛 2 月已把台积电资本开支预期上调至约 650 亿美元；更激进的卖方拆解模型给到 750 亿（2027）/850 亿（2028）——若兑现，“台积电增量≈全球 WFE 增量一半”的格局还将延续两年（前瞻口径，未经公司指引确认）。

　　3.3 存储三巨头：CAPEX 弹性最大的板块

　　三星宣布 2026 年半导体投入超 110 万亿韩元（设施+研发，史上最大），三大支柱为 AI 存储、先进代工（泰勒 2nm）、先进封装；HBM4 已通过英伟达/AMD 认证并于 2026 年 2 月正式出货，2026 年 HBM 售罄。SK 海力士除年度 CAPEX 上调外，公布了清州 M17 NAND 厂 80 万亿韩元、龙仁集群 600 万亿韩元的十年级蓝图。美光的 FY2026 CAPEX 指引在 9 个月内从 180 亿美元上调到约 270 亿美元，横跨爱达荷（ID1 提前至 2027 年中）、纽约（2026 年 1 月动工）。

　　判断：存储 CAPEX 的上修尚未结束——三家的 2026 年指引均“随订单可见度滚动上调”，且 HBM 长约（美光 1，000 亿美元）提供了跨越 2027 年的锁定。但需要提示：TrendForce 强调本轮增量投资偏向制程升级与混合键合而非纯扩产，2026 年位元供给增速有限；真正的位元产能释放集中在 2027 年，这也是“2027 年 HBM 过剩风险”讨论的起点。

　　2026 年 6 月底的新变量：韩国把存储扩产的能见度拉向 2030 年代中期。韩国政府联合两家存储巨头公布“西南半导体生态”国家级项目：总规模约 800 万亿韩元（约 5，200 亿美元），三星、SK 海力士各投约 400 万亿韩元、各建两座新厂（含 HBM 设施），目标 2030 年代中期建成；三星集团同步公布十年约 1，000 万亿韩元（约 6，460 亿美元）的投资纲要——约 360 万亿韩元投向龙仁半导体集群、约 300 万亿投向西南新厂、逾 350 万亿投向 AI 数据中心；忠清地区另规划约 81 万亿韩元的封装集群（CNBC/CNN/Tom‘s Hardware，2026-06-29）。另有报道与卖方口径把三星集团累计规划计至约 2，655 万亿韩元、SK 海力士累计约 1，100 万亿韩元（与其此前披露的龙仁 600 万亿蓝图衔接；各口径统计期限与范围不一，详见附录 B）。无论按哪套口径，未来十年韩国两家的年均半导体投入都在 1，000 亿美元级以上——约等于在当前全球 WFE 之外“再造一个市场”。国内卖方据此把全球设备市场的远期中枢推演至 3，000 亿美元级，并测算国产设备订单从 2025 年约 900 亿元人民币向数千亿元演绎（卖方推演，含多重假设，其个股与市值测算本文不予采用）。

　　3.4 中国大陆：总量平稳，结构剧变

　　中芯国际 2025 年收入 93.3 亿美元（+16.2%）创新高，CAPEX 81 亿美元、2026 年指引大致持平——表面平稳，内里剧变：N+2（7nm 级）量产、N+3 已用于华为 Kirin 9030（TechInsights 拆解确认），5nm 级在试产线；SemiAnalysis 估其 7nm 及以下产能从 2025 底 45K 片/月扩至 2027 年 80K。华虹无锡 Fab 9 年内产能翻两倍以上至 83K/月。最大的边际增量在存储：长存武汉三期 2026 年装机（国产设备采购比例目标 50%+）、长鑫 2026 年末 30 万片/月目标并计划年底 HBM 产线投产，两家 2026Q2 同步启动招标，业内测算全年设备招标量 +35%（详见第七章）。需求侧的新注脚：据媒体报道，长鑫存储已与腾讯签订多年期服务器 DRAM 供应协议、价值超 200 亿元人民币——本土云厂开始真金白银锁定本土存储，“国产 AI 需求→国产存储扩产→国产设备订单”的内循环正在闭合（高盛转述，2026-07）。

　　3.5 欧美日 IDM：周期底部，但资本纪律至上

　　模拟/功率/车规阵营 2025 年触底、2026 年温和复苏（TI/NXP/英飞凌一季报同比转正，ST 预计 2H26 复苏），但 CAPEX 集体收缩：TI 从 46 亿美元砍至 20–50 亿弹性区间（Sherman SM1 已投产、进入收获期），瑞萨功率扩产推迟，英特尔总 CAPEX 持平。对设备商的含义：成熟制程/ICAPS 设备需求 2026 年“持平至略增”已是最好情形，增长完全依赖 AI 相关三条线。唯一的亮点方向是 AI 数据中心电源（英飞凌 AI 电源收入目标 15 亿欧元、2026 年 5 月上调指引）带来的功率器件结构性需求。

　　3.6 从“比价”到“求产能”：供需灾难的五个体感切片

　　财报数字之外，2026 年上半年晶圆产能的几个“体感切片”，能更直观地说明传导第二环的烈度（多为现场表态/据报道口径，定量判断仍以 3.1–3.5 为准）：

• 一个鞠躬：2026 年 3 月 GTC，黄仁勋当众向张忠谋深深鞠躬——“没有台积电就没有英伟达”。翻译成商业语言：晶圆涨价 50% 对英伟达只是净利润的小波动，抢不到产能蒸发的却是几千亿美元市值。

• 老卡在涨价：H100 已是发布两年多的“老卡”，按消费时代的剧本早该降价——现货租金经历三年下跌约七成后，一年期租约价格半年反弹约 38%（据报道；另见 1.5 的 Blackwell 现货 +48%）。新卡不降价、老卡在涨价：这不是供需紧张，是供需灾难。

• 苹果在排队：AI 客户对同一片 5nm 晶圆出价高约 50%，二十年的“皇冠客户”苹果被挤出优先级，M4 MacBook 交货期拉长至 16–18 周（据报道）——“消费让位于投资”最标志性的一幕（见 2.3）。

• 产线在换防：三星关闭 8 英寸线、台积电把部分 8 英寸产能改造为 CoWoS 封装、大陆晶圆厂利用率全面超 100%——低毛利产能在给 AI 让路，采购逻辑从“比价”变成“求产能”。

• 一句断言与一个极端表达：业内断言“没有锁定产能的芯片公司，18 个月内消失”——设计能力之外，供应链能力第一次成为芯片公司的核心竞争力；马斯克规划中的 TeraFab（单厂月产 100 万片晶圆，约相当于三分之二个台积电）则是这种产能焦虑最极端的注脚（规划口径，未有工程披露）。

　　第四章

　　传导第三环：设备市场——WFE 共识大迁移

　　4.1 2025 年实绩：三个口径

• SEMI WWSEMS 实绩（出货）：2025 年全球半导体设备销售 1，351 亿美元，+15%（2024 年 1，171 亿）；其中测试设备 +55%、封装 +21%。

• 分地区：中国大陆 493 亿（-0.5%，连续第一）、台湾 315 亿（+90%，创纪录）、韩国 258 亿（+26%）、日本 95 亿（+22%）、北美 109 亿（-20%）、欧洲 29 亿（-41%）。中台韩合计占全球 79%。

• WFE（前道）口径：SEMI 年终预测 1，157 亿（+11%）；设备公司自家口径 Lam“接近 1，100 亿”、TEL“1，150 亿”——引用时注意口径。

　　4.2 2026–2027：从 +9% 到 +27% 的共识迁移

　　这是本文最重要的单一图景：2025 年 12 月时，行业对 2026 年的共识还是“高个位数增长”；到 2026 年 5–7 月，已被集中上修至 +21%~28%。

　　一个有趣的注脚：Jefferies 在 2025 年 6 月曾是街上唯一看空 2026 年 WFE（-1%）的机构，2025 年 12 月正式转多。卖方的“投降式上修”本身是行情进入第二阶段的标志——此时更需要警惕预期透支。

　　上修背后还有两个分析框架在背书。其一，资本密集度回归：当前 WFE 占半导体销售额仅 12–13%、处于历史低位，美银测算若向历史均值回归，2026/27 年还有约 200 亿美元的额外上修空间；按“2030 年回归历史资本强度”推演，届时 WFE 市场可能接近 3，000 亿美元（美银，2026-01/04）。其二，盈利支撑：半导体行业利润率 2023 年触底（约 17%）后大幅回升，以收入和利润衡量的 WFE 强度都将自 2026 年起显著下降——不是设备买得不多，而是行业赚钱的速度更快，WFE 冲向 2，500 亿美元并未超出晶圆厂的支付能力（卖方拆解模型，见 4.6）。花旗 2028 年 2，500 亿美元“牛市预测”背后的云厂资本开支路径假设是 2026/27/28 年 +84%/+56%/+38%——即 2028 年 WFE 仍保有 25% 的增长（花旗，2026-06）。

　　4.3 结构：增量的 80% 来自三条线

　　AMAT 给出的结构判断最清晰：2026 年 WFE 增量的 80% 以上来自先进逻辑（2nm/GAA）+ DRAM（HBM）+ 先进封装；NAND 占总 WFE 不足 10%（且以升级改造为主——Lam 测算 200 层以上转换需约 400 亿美元 WFE，现预计“大部分在 2027 年底前投放”，较原计划明显前移）；成熟制程/ICAPS 与中国本土持平。

　　SEMI 分市场预测（年终口径）：2026 年 Foundry/Logic WFE 703 亿（+5.5%）、DRAM 259 亿（+15.1%）、NAND 157 亿（+12.7%）；测试设备 125 亿（+12%）、封装 70 亿（+9.2%）。注意：该口径发布于 2025 年 12 月，晚于其后的投行上修，分项数字大概率将在 SEMI 年中预测中上调。

　　4.4 五大设备商指引演变：一部“逐季上修史”

　　4.5 共识为什么总是追不上：线性思维与指数世界

　　半年上修 18 个百分点，不是机构失职，而是一个结构性错误的重演：用线性思维预测指数世界。Scaling Law 下，前沿模型的训练算力约每 6 个月翻一倍（比摩尔定律快 3 倍）；而整条产业链——云厂、晶圆厂、卖方——长期习惯按“每年 +30%”的线性斜率备产能、做预测。两条曲线的差，每半年结算一次，表现形式就是“上调—排队—再上调”。

　　最完整的案例是谷歌：2023 年它把最宝贵的 TPU 算力开放给 Anthropic、自身资本开支相对保守；代价是自家 Gemini 启动大规模训练时算力不足、旗舰模型推迟近一年，一度被集体唱衰。2025–2026 年谷歌以 1，800–1，900 亿美元的年资本开支猛烈补课，产能与模型追了回来，但“独霸第一”的窗口已永久错过——今天是三强混战（业内复盘口径，详见附录 B）。同一时期，CoWoS、HBM、EUV 三大硬约束全面失守，与 WFE 共识从 +9% 到 +27% 的大迁移互为镜像。

　　对设备行业的推论：只要需求仍按指数走、预测仍按线性做，共识就会持续追赶现实；卖方“投降式上修”（见 4.2）完成后，下一个填平预期差的变量不再是预测，而是设备公司的交付周期与产能爬坡本身——这正是第五章“订单先行、全线排队”的宏观成因。也因此，“宁可多花、绝不敢少花”成了 Hyperscaler 资本开支的集体信条：省下的资本开支，买不回第一的位置。

　　把单家机构的时间轨迹排开，看得更清楚：美银 1 月宣布“超级周期起点”时还只给 1，310 亿美元（+10%）；高盛 2 月把 2026 年增速从 +11% 拔高到 +20%（1，320 亿，2027 年看 1，600 亿）；到 5–7 月，大摩/UBS/Mizuho 的中枢已落在 1，470–1，530 亿（+21%~27%）——同一批机构对同一年的预测，半年抬升了约 15 个百分点；在指数世界里，预测的半衰期只有一个季度。

　　4.6 一张拆解表：从 3，600 亿 CapEx 到 2，475 亿 WFE，和 14% 的硬缺口

　　卖方自下而上的拆解模型，给出了本文框架的逐年量化（美元口径，情景推演）：

　　三个读法：其一，节奏——存储 WFE 在 2026/2027 连续两年以约 +50%/+42% 的斜率冲锋，非存储（先进逻辑）则在 2028 年接棒（+41%），超级周期内部有明确的“存储先行、逻辑接力”结构。其二，公司假设——该模型对台积电 2027/2028 年资本开支的假设高达 750/850 亿美元，三星 560/602 亿、海力士 340/365 亿、美光 420/415 亿（均为模型口径）。其三，也是最锋利的：缺口——2027/2028 年，全球（除中国大陆）资本开支约 2，525/2，820 亿美元，按 70–80% 购置设备折算需求约 1，900/2，100 亿，而自下而上可数出的设备供给仅约 1，600/1，830 亿——供需缺口约 14%/14%。换句话说：即便所有设备商的扩产计划全部兑现，2027–2028 年的设备仍然不够买。（该模型假设密集，仅作情景参考，详见附录 B）

　　第五章

　　海外设备公司：财报透视

　　先给一张 2025 年的份额底图（Gartner 口径、经调整 WFE；卖方整理，2026-04）：ASML 23.6%（连续第三年居首，光刻占其销售 97%）、应用材料 17.8%（沉积占 53%，可服务市场份额同比 -334bp）、泛林 14%（刻蚀占 55%，SAM 份额同比 +800bp，年度最大赢家）、东京电子 10.6%（五强中收入增速最快，+23%）、科磊 8.6%（95% 集中于工艺控制，并在该市场保持约 60% 的主导份额）——五强合计约占全球 WFE 的 70–75%。

　　5.1 ASML：EUV 大年与“能见度”的新问题

　　财务：2025 年营收 326.7 亿欧元（+16%）、毛利率 52.8%、净利 96.1 亿欧元；其中 EUV 收入 116 亿欧元（+39%，48 台）。2025Q4 单季营收 97.2 亿欧元、净订单 131.6 亿欧元双双创纪录（订单中存储占 56%）；年末积压订单 388 亿欧元。2026 年指引两次上调至 360–400 亿欧元（中值 +16%），毛利率 51–53%。

　　三个关键判断：

　　1． EUV 放量：2026 年计划出货至少 60 台 Low-NA（常年 40–50 台），2027 年计划约 80 台；2026Q1 EUV 已占系统销售 66%。驱动：存储 EUV 化（海力士 1c、三星 1c、美光 1γ）+ 台积电 N2/A16 爬坡。最硬的实物证据：2026 年 3 月 24 日，SK 海力士向 ASML 下达约 80 亿美元 EUV 订单（约 30 台、交付至 2027 年，投向龙仁新厂与清州 M15X 的 HBM4/先进 DRAM）——ASML 历史上金额最大的单笔披露订单（路透/Tom‘s Hardware，2026-03）。

　　2． High-NA 商业化落地但节奏分化：英特尔 EXE：5200B 完成验收、将用于 14A 量产（2027 指向）；SK 海力士 2025 年 9 月完成存储业首台商用装机；三星 2nm 路线导入；台积电则明确 A14（2028）不用 High-NA、A13（约 2029）继续推迟——“High-NA 什么时候成为主流”仍是 2027–2029 的问题，不是 2026 的。

　　3． 能见度变化：公司自 2026 年起停止披露季度订单（bookings），2026Q1 连 backlog 也未更新——市场对其“可见性”的定价方式正在改变（Bloomberg：“ASML 股票变得更难估值”）。

　　4． 中国区占比从 2024 年 41% 峰值断崖式回落至 2026Q1 的 19%（2026 全年指引约 20%），被韩国（2026Q1 占 45%）完全对冲。另一战略动作：2025 年 9 月以 13 亿欧元入股 Mistral AI 成第一大股东。

　　5.2 应用材料 / 泛林 / KLA：美系三强全面创纪录

• 应用材料（财年止 10 月）：FQ2 2026（止 2026-04-26）营收 79.1 亿美元创纪录（+11%），非 GAAP EPS 2.86 美元；FQ3 指引 89.5 亿±5 亿（环比 +13% 的罕见跳升）。半导体系统分部中 DRAM 占比 29%（上年 27%）、闪存仅 4%——印证 HBM/DRAM 是增量主力。CEO Dickerson：设备业务 2026 自然年“增长超过 30%”。注意其 2026 年 2 月与 BIS 达成 2.52 亿美元和解（涉对华违规出口），中国区收入占比已从 FY24 的 37% 降至最新季度 24%。

• 泛林（财年止 6 月）：FY26Q3（2026/3 季）营收 58.4 亿美元创纪录（+24%），CY2025 营收超 200 亿美元（+27%）；DRAM 占系统收入 27% 再创纪录。技术叙事三支柱：①NAND 200 层+转换 400 亿美元 WFE 前移；②HBM4/16 层堆叠的电镀+TSV 刻蚀领先；③先进封装收入 2026 年增速上调至 “>50%”（CY2024 已超 10 亿美元）。另持有干法光刻胶（EUV 剂量降 10%+）与 ALD 钼互连两张中期牌。FY26Q4 指引 66 亿±4 亿（中值环比 +13%）。

• KLA（财年止 6 月）：CY2025 营收 127.5 亿美元（+17%）创纪录；工艺控制市占率约 58%（Gartner 2025，约为第二名 7 倍）；先进封装收入 CY2026 目标约 10 亿美元（工艺控制口径，+57%）。逻辑强于口号：GAA 较 FinFET 增约 50% 检测层/30% 量测层；“HBM 堆叠不可分箱→检测刚需”。FY26Q4 指引分市场 Foundry/Logic 占比骤升至 82%——2nm/GAA 投资放量正在接棒 HBM 成为量检测的下一驱动。2030 模型：营收 260 亿±25 亿美元（基于 2030 WFE 约 2，150 亿）。

　　5.3 东京电子与日系前道

• 东京电子（财年止 3 月）：FY2025（止 2026/3）营收 2.44 万亿日元（新高但仅 +0.5%）、营业利润 -10.4%（研发费 +11%）——2025 年是 TEL 的“消化年”（中国占比从峰值 47% 回落）。拐点在指引：FY2026 上半期营收预想 +33.1%、营业利润 +42.2%，大超预期；全年 SPE 新装置销售 +41% 展望，AI 相关（2nm/HBM）已占销售近 40%。

• SCREEN：FY2025 营收 -3.1%（消化年），FY2026 指引营收 +19.7%、SPE +23.5%；Q4 单季 SPE 接单额创历史新高。公司 WFE 观点：CY2026 +15–20%。

• Kokusai：FY2025 -1.6%（中国 DRAM 正常化回落），FY2026 指引 +19.1%；结构性看点是 FY2026 中国 DRAM 预计 +53% 反弹（长鑫招标）与 Batch ALD 放量。

　　日系前道的共同轨迹：2025 年消化中国回落 → 2026 年被 AI/存储重新拉起，指引全部转为高增长。

　　5.4 测试设备：增速最高的子板块

• 爱德万（财年止 3 月）：FY2025 营收 1.129 万亿日元（+44.7%），首破 1 兆日元，营业利润 +118.8%（利润率 44.2%），毛利率 64.3%，ROE 57.6%；SoC 测试机收入 +74.3%。公司推算 CY2025 测试机市场约 90 亿美元（+50%，超上轮峰值），自身份额约 65%、“拿下全球 AI 加速器测试的大多数份额”。FY2026 指引 +25.8%，核心增量是定制 ASIC 放量进入量产测试（“典型定制 ASIC 测试内容与 GPU 相当”）——这句话是理解 2026 年测试需求的钥匙。产能规划：SoC 测试机年产能 5，000 → 7，500 → 10，000 台（2028 年底前）。排队体感：ATE 平均交期已超过 6 个月（DIGITIMES，2026-01），客户端反馈“2026 年直至 2027 年初的测试产能已被订满”（财报会转述）；另据业内流传，SK 海力士曾为 HBM4 一次性采购约 200 台测试机（未经双方确认，列入附录 B）。另获硅光首个大规模量产 ATE 大单（“明年翻倍以上、后年再翻倍”）。

• 泰瑞达：2026Q1 营收 12.8 亿美元（+87%），毛利率 60.9% 创纪录；“约 70% 收入与 AI 相关”（一年前约 40–50%）；VIP（自研 ASIC 客户）计算类收入 2025 年 +90%、份额约 50%；并首获商用 GPU 量产测试订单（打入英伟达链的信号）。中期模型：2028 年 ATE TAM 120–140 亿美元时营收 60 亿。

　　测试逻辑的本质：器件复杂化→测试插入次数增加+测试时间拉长（HBM3→HBM4 功耗增幅超 2 倍、16 层堆叠、不可分箱），叠加 ASIC 客户从零起量——测试是“AI 芯片多样化”的直接受益人，而多样化正在加速。

　　5.5 后道/先进封装：订单先行，2026H2–2027 放量

• DISCO（切割/研磨/划片）：FY2025 销售额、营业利润、出货额全部创新高；研磨机出货 +17%（Q4 +26%）——HBM 硅片减薄是主驱动；2026 年 7 月 6 日速报：FQ1 单体出货额 1，165 亿日元（+25.3%，单季历史新高），“以生成式 AI 用途为中心”。

• ASMPT：TCB（热压键合）收入 2025 年 +146%；HBM4 12 层 TCB 工具率先获多家客户订单；C2W 超细间距 TCB 获领先逻辑客户订单；2026Q1 集团订单 +71.6%。TCB TAM 上修：2025 约 7.6 亿 → 2028 年 16 亿美元。

• BESI：2026Q1 订单 +104.5%（连续两季翻倍）；混合键合客户增至 20 家、累计订单 150+ 台；与应用材料合作在“一家领先逻辑客户”（市场解读为台积电）安装 6 条集成混合键合产线；“2026 年是混合键合（尤其 HBM 堆叠）采用的里程碑之年”；产能从 180 台/年扩向 250 台/年。

• ASM International：2025 年营收 31.7 亿欧元创纪录，“主要由客户加大 2nm GAA 产能投资驱动”；Mo ALD 与选择性沉积已在 2nm 量产；1.4nm 先导线投资预计 2026 下半年启动；4F² DRAM 打开 ALD/Epi 新空间。

　　后道板块的共同特征是“订单增速远超收入增速”（ASMPT +71.6%、BESI +104.5% vs 收入 +30% 左右），指向 2026H2–2027 的收入兑现；混合键合（HBM 16 层+、SoIC）是从 0 到 1 加速期。Yole 预测混合键合设备市场 2025–2030 CAGR 21%。

　　5.6 共同信号与分歧

　　五个共同信号：①2026 指引全部上调，无一例外；②DRAM/HBM 是当下最强引擎，先进逻辑（2nm）在 2026H2 接棒；③先进封装收入增速（+50%~146%）普遍数倍于公司整体；④中国区占比集体正常化至 20–30% 且均被 AI 需求完全对冲；⑤对 2027 年的表态罕见地一致乐观（KLA“2027 增速超 2026”、Lam“又一个增长年”、TEL 两年区间口径）。

　　值得记录的分歧：TEL 的“1，500–1，700 亿美元”显著高于美系同行的“约 1，400 亿”，系自家口径+汇率假设，不宜直接比较；NAND 的复苏力度（Lam 乐观 vs AMAT 谨慎）；High-NA 采用节奏（英特尔/存储积极 vs 台积电推迟）。

　　5.7 新信号：设备整机也开始涨价

　　零部件之后，设备整机的定价权拐点也出现了（伯恩斯坦，2026-06-15）。过去三年日元对美元贬值约 30%，以日元定价的日系设备商本就积累了充足的调价空间，但长期“不愿涨”；现在态度明确转变——东京电子把利润率改善列为最高优先级，“三步走”涨价：对客户的加急交付请求收费（历史上从不收）→就通胀/材料/人工成本上涨谈价格调整→新机型以更强技术与新功能收取溢价，目标把毛利率提到 50% 以上、营业利润率逼近 35%（华尔街共识仅 48%/30%）；SCREEN 的通胀性涨价已被客户接受、正在洽谈新机型增值涨价，长期营业利润率目标 30%（共识 27%）；Kokusai 预计跟进。需求端的验证：据报道，SK 海力士已收到 3–4% 的设备涨价要求。ASML 则靠产品升级拿溢价——新一代 EUV 平均售价有约 60% 的上探空间，且供应紧张下“加快交货”本身就可以收费。注意结构差异：DISCO/Lasertec/爱德万以美元+日元混合定价、利润率此前已大幅扩张，本轮涨价红利相对较弱——短期内，日系前道的涨价弹性大于后道。对照第六章：零部件在涨、整机开始涨——“设备通胀”正沿着供应链自上而下传导，这在过去二十年的设备行业几乎没有发生过。

　　第六章

　　传导第四环：零部件——扩产超级周期的“瓶颈中的瓶颈”

　　设备市场的景气，最终要靠一颗颗结构件、一台台真空泵落地。本章把传导链再往上推一环：设备的上游——零部件。

　　6.1 需求：0.4 的跟涨系数

　　设备的上游是零部件——金属/陶瓷/石英结构件、真空泵与真空阀、射频电源、gas box、密封圈、单晶硅电极、靶材等，合计约占设备价值量的 40%，2025 年全球市场约 5，000 亿元人民币（约 700 亿美元，卖方测算口径）。设备市场若按第四章共识向 2，000 亿美元、再向 2，500–3，000 亿美元演绎，零部件需求大致以 0.4：1 跟涨——未来 3–5 年全球新增重资产零部件需求约 2，500–5，000 亿元，相当于要求全球存量产能增长 50%–100%；而零部件扩产国内也要约 18 个月，海外显著更久。

　　6.2 供给：海外不扩、交期翻倍、全面涨价

　　供给端的分化是本章的核心事实（以下多为卖方与产业调研口径，未经相关公司逐一确认，详见附录 B）：

• 海外几乎不扩：日本精密石英、陶瓷件产能仅增 5–10%；美国世伟洛克基本不扩产；射频电源厂商 MKS、AE 产能扩张不足 10%——主要供应商集中于日欧，历经数轮周期后扩产意愿保守谨慎。

• 交期与涨价已全面启动：海外零部件交期从 3–4 个月拉长至 6–8 个月、部分品类一年以上；靶材部分涨价 20% 以上，密封圈 20–30%，世伟洛克法兰/接头/阀门约 15%，石英结构件约 15%，单晶硅电极 15% 以上，射频电源与分子泵约 10%，陶瓷结构件 10% 以上。另据业内流传，日本 TOTO 已通知国内某头部客户：陶瓷结构件三季度起交付周期“无限拉长”；海外产能优先保障海外头部客户，国内设备厂被“倒逼”加速转向国产供应。

　　6.3 国产窗口：抢跑、出海与拐点信号

• 国内在抢跑：富创精密产值从 2022 年约 30 亿元扩至当前约 100 亿元、规划 2030 年达 200 亿元；珂玛科技陶瓷加热盘产能提升一倍以上；华亚智能产能翻倍；新莱应材（维权）高纯管路与阀门产能 +80%；神工股份单晶硅电极产能 +200%；英杰电气、恒运昌的射频电源产能大幅提升。

• 拐点信号已经出现：2026Q1 是全球设备加快生产的第一个季度，而受洁净室与扩产规划限制，当前产出仍处“未来三年的极低水平”；晶圆厂开始有意识地对标准设备备库；零部件多环节陆续出现满产、挑单、涨价——gas box 环节已有厂商满产挑单，陶瓷件、阀门呈现紧缺；大量国内零部件厂商反馈在手订单同比增长约 50%，而这还是“存储厂二季度才陆续下量产订单”之前的水位；一季度国内厂商的海外订单高速增长（珂玛约 +100%、富创 +50% 以上、新莱二季度半导体订单创新高），应用材料、泛林、ASML 等海外设备龙头据称已主动来华寻找零部件产能（ASML 与富创精密的接洽为卖方调研口径）。

　　6.4 为什么零部件的弹性大于设备整机

　　（业内交流观点：机制成立，幅度存不确定性）

　　1． 补库：设备 2026–2028 三年高增长几成定局，而国内设备厂的零部件库存处于低位——订单高增之上叠加补库，零部件增速会系统性高于设备订单增速；

　　2． 经营杠杆：设备整机偏轻资产（“买零部件+人工组装”），没有产能利用率概念；零部件偏重资产，产能利用率从五成拉向满产乃至超负荷时，利润弹性远大于设备——美日零部件公司在历史周期高低点的利润率摆动，均显著大于设备公司；

　　3． 出海：海外零部件未大规模扩产，全球扩产的溢出需求只能由中国产能承接——国产零部件同时受益于国内与全球两个市场，“海外客户主动上门”已在发生；

　　4． 涨价：海外已普涨、国内基本未跟（仅个别公司小幅调价），越往后越缺——价格弹性尚未兑现。

　　卖方据此给出的供需推演如下（人民币口径，“四个乘数”框架=国产化率 × 国产设备增长 × 全球化 × 利润重估；含多重假设，仅作情景参考，其对板块与个股的市值测算本文一律不予采用）：

　　一句话收束：设备是这轮扩产的主角，零部件是主角的放大器——景气的每一分，会在零部件的利润表上被放大数倍；而它的重资产属性决定了，谁先扩产，谁拿走缺口。

　　第七章

　　中国市场：管制、脱钩与国产替代

　　7.1 出口管制时间线：休战而非停战

　　2024 年 12 月至 2026 年年中的管制演进，重塑了中国设备市场的底层结构：

• 2024-12-02：BIS 将约 140 家中国半导体实体列入实体清单，中国头部设备商几乎全部在列（北方华创、拓荆、盛美上海、华海清科、芯源微、中科飞测、华峰测控、新凯来等），同步管制 24 种设备、3 类 EDA 及 HBM。

• 2025-08-29：撤销三星/SK 海力士/英特尔在华晶圆厂 VEU 授权（扩产/升级推定拒绝）——至今未恢复。

• 2025-09-29：BIS“50% 穿透规则”（Affiliates Rule）生效，受限中国实体面或扩大至 2 万家以上。

• 2025-10-09：中国商务部 61 号公告：稀土出口“50% 穿透”+用于 14nm 及以下逻辑、256 层及以上存储的设备/材料稀土出口逐案审批——首次把管制精准对准美日荷先进设备供应链，形成对等威慑。

• 2025-11（吉隆坡/釜山协议）：中美互相暂停穿透规则与稀土新规一年（至 2026-11-09/10，到期自动恢复）。

• 休战期的真实面貌：美方设备管制零松动（先进制程推定拒绝、FDP 规则、美国人规则原封不动），执法反而加码——2026 年 2 月应用材料 2.52 亿美元和解（BIS 史上第二大罚单，涉中芯）；2026-05-31 新规封堵中企海外实体获取先进 AI 芯片。荷兰（Nexperia 事件悬而未决、企业法庭调查至 2026 年 8 月）与日本（2025 年春扩围测试/量测设备）未再加码但也未松动；新变量是美国 MATCH 法案（要求盟国 150 天内对齐，荷兰正游说删除针对 ASML 条款）。

• 中方反制工具箱：稀土逐案审批（2026 年以来对日镓/锗出货归零）、不可靠实体清单（TechInsights、10 家美企）、对美芯片“流片地”原产地认定。

　　关键日期：2026 年 11 月 10 日——穿透规则与稀土暂停同日到期，叠加美国中期选举周期，是设备行业下半年最大的政策观察点。

　　7.2 海外设备商的中国区收入：从 40% 到 25% 的正常化

　　三因素叠加：DUV/成熟制程积压订单出清后的正常化+出口管制+中方国产替代。中国海关口径：2025 年设备进口 511 亿美元（+4%，创纪录，但美系份额仅 9%）；2026 年 1–4 月进口累计 -12%（光刻 -60%、刻蚀 -28%，沉积 +36%）。

　　7.3 中国市场总量：两派分歧（必须并列呈现）

• SEMI 派（偏谨慎）：中国大陆设备销售 2024 年 495.5 亿美元见顶 → 2025 年 493 亿（-0.5%）→ 2026 年起温和回落但保持全球第一至 2027。

• 伯恩斯坦派（偏乐观）：2026 年中国 WFE +10% 至 550 亿美元，其中中国本土设备商收入 150 亿美元（+36%）——总盘子的方向分歧，不影响“国产份额快速上升”的结构共识。

• 政策底牌：路透 2025 年 11 月独家——中国晶圆厂新建/扩产审批须证明 ≥50% 设备国产、远期目标 100%；2027 年成熟制程国产化率目标 70%（TrendForce）。

　　7.4 国产设备公司财报全景（2025 年报 + 2026Q1）

　　四个板块级观察：

　　1． 收入普涨、利润分化：营收 +30~60% 是普遍水平，但北方华创（研发费 +47% 至 54 亿、股权激励）与华海清科（毛利率 -1.4pct）“增收不增利”——研发军备竞赛+新品爬坡毛利率压力是国产阵营的共性成本，与海外巨头 60%+ 毛利率的差距仍大。

　　2． 平台化整合加速：北方华创收购芯源微（补 Track 短板）、发布离子注入/电镀/混合键合新品，刻蚀+薄膜双双破百亿；中微向 LPCVD/EPI/CMP 扩张；盛美进军 Track/PECVD/炉管——头部三家都在复制 AMAT 的平台化路径。

　　3． 订单指标与存储招标共振：拓荆 110 亿在手订单、中科飞测合同负债环比 +55.8%，与长存/长鑫 2026Q2 同步招标（全年招标量 +35% 测算）相互印证；先进存储（3D NAND 堆叠、DRAM/HBM）对沉积、键合、量测的工艺需求恰是国产新品的主攻方向。

　　4． 国际定价的时间轴在拉长：高盛 7 月把北方华创、中微、盛美、安集四家的估值方法从近期市盈率切换为“2030 年预期折现”——国际机构首次系统性地按十年期趋势为国产设备定价，理由是“客户资本开支持续加码+国产化渗透率稳步提升带来的长期能见度”（本文仅记录方法论切换这一信号，其盈利预测与目标价不予采用）。

　　7.5 国产化率：两套口径，务必注明

• 口径 A（收入/存量，偏保守）：2025 年中国 WFE 国产化率约 21%（2017 年 4%），预计 2028 年约 43%；分环节：刻蚀约 31%、CMP 约 39%、清洗约 29%、薄膜约 27%、量检测约 10%、涂胶显影约 6%、光刻≈0。

• 口径 B（招标/增量，偏乐观）：去胶 80%+、刻蚀 55–65%、清洗 50–60%、炉管 30–40%、CMP 30–40%、PVD 10–20%、CVD/ALD 与涂胶显影 5–10%、量检测 1–10%、光刻 0–1%。

• TrendForce 折中口径：整体国产化率 2025 年底约 35%（2024 年约 25%），短板在光刻（~18%）与量测（~25%）。

• 客户侧验证：长江存储三期国产设备采购比例目标 50%+（核心工序据称已突破 60%）、长鑫国产占比四至五成——均为媒体援引业内口径，非公司披露。

　　7.6 光刻机：事实与传言的分界线（重要）

　　可核实的事实：上海微电子 2025 年 2 月交付首台 2.5D/3D 先进封装光刻机，SSB500 封装光刻机产能 100 台/年的产业化项目环评获批；Tom‘s Hardware 等报道其 28nm 浸没式 DUV“已交付中芯国际验证测试”。新凯来（深圳国资）SEMICON China 2025 一次性发布六大类 31 款设备（不含光刻），据报道在手订单超 100 亿元、拟按约 110 亿美元估值融资 28 亿美元。

　　广泛流传但无官方确认的说法（建议论坛材料一律标注“未经证实”）：SSA800 “通过工信部验收/良率 90%+/年产 50 台/套刻 ±2.3nm”等参数均出自自媒体；新凯来“7nm DUV 量产”传闻已被湾芯展 2025 现场间接证伪（未展出光刻机）；国产 EUV 仅存在“2028 原型/2030 量产”的展望级讨论。结论：28nm 级 DUV 处于“交付验证”阶段是可信的；“量产放量”证据不足；光刻仍是国产化最深的洼地，，这恰恰定义了未来五年国产设备的最大期权。

　　第八章

　　传导链全景：一条可以量化的链

　　把四条研究线串成一条数字链（均为 2026E 中枢口径）：

　　链条上的三个“放大器”：①内存涨价（同一美元 CAPEX 中流向存储厂的利润更多→存储 CAPEX 弹性放大）；②工艺强度（GAA +50% 检测层、HBM 不可分箱、16 层堆叠 TCB/混合键合、减薄——单位晶圆的设备含量在上升）；③中国双轨（海外商中国收入 -15pct 被 AI 完全对冲，而国产商在缩小的进口盘子里以 +36% 抢份额）。

　　其中“工艺强度”的上升有一个产业级的名字——SysMoore（系统摩尔）：单芯片摩尔定律放缓后，性能接力棒交给芯片、互联、电源、散热、封装一起动的系统级创新（英伟达口径：平台级 token 生成效率每代提升约 35 倍，对比摩尔定律的晶体管密度年增约 30%；营销口径，作量级参考）。对设备行业，系统级创新的每一步都以新增工序为代价——检测层、键合、减薄、电镀、TSV、光电测试——这正是“单位晶圆设备含量上升”的根本来源，也是本轮设备景气与历史周期最大的结构性差异。

　　链条上的三个“衰减器”：①CAPEX 名义值含涨价通胀（微软自认 250 亿）；②电力/洁净室等物理瓶颈使支出后移（Lam 明确提及洁净室空间短缺制约 2026 节奏）；③成熟制程收缩抵消（TI/瑞萨/ST 合计减少数十亿美元）。

　　第九章

　　趋势研判：2026–2028

　　9.1 八大趋势判断

　　趋势一：WFE 进入“两年 3，500 亿美元”的历史最大扩张窗口，但斜率取决于存储。2026E 约 1，450 亿+2027E 约 1，900 亿的共识中枢意味着两年合计约 3，400–3，500 亿美元 WFE——超过 2010 年代任何完整周期的总量。其中最大的贝塔在存储（DRAM WFE 2026 +15%、NAND 转换支出前移），最确定的阿尔法在先进逻辑（台积电增量）与先进封装。6 月底韩国“西南半导体生态”项目（800 万亿韩元国家级计划）与三星千万亿韩元级十年纲要（见 3.3），更把存储扩产的能见度从“两年”直接拉向“十年”——这是 WFE 中枢长期上移最硬的新证据。

　　趋势二：先进封装从“配角”升格为“第二摩尔定律”——对中国是生死问题，不是效率问题。物理起点：一次光刻最多造出约 858mm²（光罩极限）的芯片，H100（814mm²、800 亿晶体管）已几乎满光罩——单颗芯片到顶后，性能接力棒交给封装：Blackwell 以两颗满光罩裸片拼出 2，080 亿晶体管，Rubin 进一步到 3，360 亿；台积电 CoWoS 封装面积从 2016 年的 1.5 倍光罩，扩到 2026 年的 5.5 倍（良率约 98%）、2027 年 9.5 倍、2029 年规划 14 倍以上（单封装可容 24 颗 HBM，台积电技术路线图口径）；产能两年翻两番仍短缺，2026 年底缺口仍约 10%——设备交付周期 12–18 个月，是钱解决不了的时间。混合键合 20 家客户起量、TCB TAM 三年翻倍、面板级封装起步——封装设备（含工艺控制）正在形成一个 2026 年约 200 亿美元、增速 30–50% 的独立市场。有五个细分值得单独盯住：键合（TCB/混合键合）、减薄、电镀与 TSV 刻蚀、封装检测、FAU 光纤耦合是未来三年增速最高的五个设备细分。

　　对中国，这条赛道还要再加一层权重。受限于 EUV 禁运，国产先进制程停在 7nm 级（中芯 N+2），晶体管密度约为台积电 5nm 的六至七成（“做不密”）；DUV 制造接近光罩极限的大芯片良率不经济，可量产面积往往只有一半（“做不大”）——两头相叠，单颗芯片晶体管约为英伟达的 1/3–1/2（推算口径，与第三方对国产旗舰芯片的拆解结论同向）。英伟达能靠一颗大芯片打天下，中国必须靠先进封装把多颗“做得出来的、合规的”小芯片拼成一颗大的——同样是先进封装，对英伟达是效率问题，对中国是“能不能上牌桌”的生死问题，故称“第二摩尔定律”。而中国的起点并不落后：大陆 2.5D 先进封测份额约八成五集中在头部一家，长电/通富/华天稳居全球封测第一梯队——对照光刻≈0、量检测约 10% 的国产化率，封装是中国离“第一梯队”最近的环节，且“去美化”产线与“以封装补制程”的战略通道使国家意志与产业意志高度一致。国产设备的卡位（与 7.4 表互参）：拓荆 W2W 混合键合已量产、C2W 在客户端验证（在手订单约 110 亿元）；华海清科减薄抛光一体机出货 20 余台，正对 HBM 减薄刚需；盛美把先进封装设备列为 2026 年关键增长板块；FAU 侧天孚交换机级份额超五成、上詮卡位台积电 COUPE，仕佳/杰普特/光库以并购切入。诚实的差距：混合键合量产台数与客户覆盖仍在爬坡，HBM 仍高度依赖海外三家（长鑫 HBM 产线是关键变量），键合材料、玻璃基板、电镀液等上游材料仍是短板。

　　2026 年年中，这条路线又添两个注脚（业内交流口径，未经官方确认）：其一，海外极致微缩的边际收益在退坡——2nm 较 3nm 成本上浮约 40%，而旗舰手机芯片的性能/功耗收益微弱、部分场景甚至不如 3nm，头部手机客户的落地反馈不及预期，靠光刻缩线宽的传统摩尔路径阻力越来越大；其二，国产堆叠路线开始跑通——业内称华为新一代麒麟芯片（等效对标海外 7–10nm 区间）已采用两层芯片堆叠，明年将拓展三层、四层堆叠并落地算力芯片，并把这条“以堆叠换微缩”的路径称为“堆叠定律”。若此判断成立，“极致微缩”与“堆叠+封装”的路线分叉将进一步固化，国产先进产能的“过剩”之忧弱化，设备与零部件国产链条的景气持续性更强。（百人会另有先进封装专文，此处不展开）

　　趋势三：测试强度长周期上行。AI 芯片多样化（GPU→五家 ASIC→推理芯片）×复杂化（HBM4、Chiplet、CPO）双轮驱动；爱德万产能规划翻倍（至 1 万台/年）是对长周期的实物投票。硅光/CPO 测试从 2026 年开始成为可观测的新增量。

　　趋势四：EUV 的第二增长曲线来自存储。2025Q4 ASML 订单中存储占 56%；海力士 1c、美光 1γ、三星 1c 全面 EUV 化，长期还有 4F²/3D DRAM 的想象空间。Low-NA 出货 60→80 台的爬坡由存储与 N2/A16 共同支撑；High-NA 则要等 2027–2029（英特尔 14A 与存储先行，台积电观望）。卖方的 EUV 供需模型把这条短缺曲线画到了 2030 年：全球 EUV 年安装量 2025 年 48 台 → 2026 年 66 台 → 2027 年 90 台 → 2028 年 100 台，但按各厂产能爬坡折算的需求始终更高——供需差 2026 年约 -25 台、2027 年 -40 台、2028 年 -42 台，直到 2029 年才收敛至 -8 台；支撑系数：一台 EUV 每月约 7.5 万次晶圆曝光，2nm 约 22 层 EUV 层、15 台设备约支撑 5 万片/月产能，DRAM 1b 制程 4–5 层 EUV、到 2030 年将增至 7–10 层（卖方模型，情景参考）——这也是“天花板之辩”最硬的定量弹药。

　　趋势五：设备行业的“中国溢价”让位于“AI 溢价”。2023–2024 年海外设备商的超额收入来自中国抢购；2025–2026 年这块收入正常化（-15pct 占比），取而代之的是 AI 三条线。对国产设备商，2026 年是“存储招标大年+平台化验证年”；对海外商，中国业务的剩余价值在服务（CSBG/装机基数）而非新机。

　　趋势六：国产替代进入“深水区”——从可替代环节转向难替代环节。刻蚀/清洗/CMP/炉管已过 50% 招标份额，继续提升的边际贡献递减；下一阶段的价值集中在量检测（10%→？）、涂胶显影（6%→？）、离子注入、以及光刻这一终极洼地。同时“二次国产化”（零部件/子系统去美化）因实体清单倒逼而加速——这是一个尚未被充分定价的市场。

　　趋势七：资本市场对“周期见顶”的定价将反复出现。2026-06-23 式的剧烈回调（Kospi 熔断、单日 1.3 万亿美元市值蒸发）会重演，因为估值（五大科技股占标普 30% 权重）与叙事（折旧/循环交易/变现缺口）之间的张力是结构性的。但只要 Hyperscaler 指引不下调、HBM 长约不违约，设备订单的基本面周期与股价波动周期将继续脱节。

　　趋势八：2027 年是压力测试年。三个时间点重叠：HBM 位元供给大量释放（过剩讨论的起点）、NAND 转换支出高峰过后、Hyperscaler 折旧洪峰（巴克莱：Meta FCF 转负）。若 AI 变现（全行业 AI 收入约 1，000 亿 vs 所需 6，000 亿的 Sequoia 框架缺口）届时仍未显著收窄，2028 年 WFE 出现周期性回调（Gartner 已预埋“2028 停顿”观点）的概率不低。本文的立场：旗帜鲜明看多 2026–2027，对 2028 保留一分清醒。

　　9.2 情景分析（2027 年 WFE）

　　9.3 六大思辨议题

　　总量之辩、结构之辩、国产之辩、地缘之辩、天花板之辩、零部件之辩——六大议题的正反方弹药，本文第一、四、六、七、十章齐备；议题详情已在第一篇发布（《AI 的瓶颈是设备：半年被上修 5，300 亿美元之后，第二张闭门圆桌留给“卖铲人”》），并将根据报名者的立场分布与提问动态调整，此处不再展开。

　　第十章

　　风险因素

　　1． AI 变现缺口（概率中、影响大）：OpenAI 年化收入约 250 亿 vs 1.4 万亿承诺；Sequoia 框架缺口约 6 倍且在扩大。反方证据：Google token 量 +7 倍、Blackwell 租赁价 +48%、云三家收入加速。观察指标：Hyperscaler 季报的 AI 收入披露与 CAPEX 指引修订方向。

　　2． 折旧-自由现金流挤压（概率中高、影响中）：巴克莱测算 Meta FCF 2027 年转负、微软 2028 年末转负；Michael Burry 指控折旧年限拉长虚增利润（2026–2028 低估约 1，760 亿美元）。CAPEX 由 FCF 融资转向发债/SPV（Meta-Blue Owl 273 亿出表、甲骨文 CDS 历史新高）——融资依赖度上升使 CAPEX 对利率与信用市场敏感化。

　　3． 电力与物理瓶颈（概率高、影响中）：变压器 128 周、燃气轮机最长 7 年、美国居民电价 5 年 +42% 引发政治反弹（57% 民众反对建数据中心，2026 中期选举议题）。对设备业是双刃剑：延缓装机节奏，但拉长景气尾部。

　　4． 2026-11-10 休战到期（概率不确定、影响大）：穿透规则+稀土管制同日恢复的“snap-back”设计意味着谈判失败的成本极高；若破裂，美系设备商中国收入（约 180 亿美元敞口）与国产供应链零部件同时受创，但国产整机份额将再获强推。

　　5． HBM 2027 年过剩（概率中、影响大）：三星/海力士/美光/长鑫四方扩产，若 ASIC 需求不及预期，HBM 价格 2027 年转跌将直接打击存储 CAPEX——本轮 WFE 上修中弹性最大的部分。

　　6． 中国市场总量下行超预期（概率中、影响中）：SEMI 已预测中国 2026 起回落；1–4 月进口 -12% 是领先信号；若成熟制程产能利用率恶化，国产设备商收入增速也将从 30–60% 降档。

　　7． 估值与流动性（常态风险）：2026-06-23 式抛售、杠杆 ETF 强平、五大科技股 30% 权重的集中度风险——影响融资窗口与 IPO 节奏（长鑫 295 亿募资、SK 海力士 ADR 等）。

　　8． 数据修正风险：本文多处依赖公司指引与卖方估算（已在附录标注），SEMI 年中预测（7 月）与各公司 7 月末财报可能带来数字更新。

　　附录 A：数据口径说明

　　1． 财年口径：微软财年止 6/30、甲骨文止 5/31、AMAT 止 10 月末、博通止 11 月初、英伟达止 1 月末、美光止 8 月末、Lam/KLA 止 6 月末、日系设备商（TEL/爱德万/SCREEN/Kokusai/DISCO）止 3/31；文中尽量注明 CY/FY。

　　2． WFE 口径：SEMI 年终预测口径（1，157 亿/2025）与各设备公司自家口径（Lam ~1，100 亿、TEL 1，150 亿）、SEMI World Fab Forecast（fab 支出口径，1，520 亿/2026）不可直接混用；本文默认引用时注明出处。

　　3． Hyperscaler CAPEX：各家对融资租赁处理不同，2024 年“四大合计”存在 2，260 亿/2，430 亿/2，510 亿三个版本；甲骨文财年与日历化差异约 76 亿美元。

　　4． 国产化率：收入/存量口径与招标/增量口径差异可达 2–5 倍（刻蚀 31% vs 55–65%），引用必须注明。

　　5． 汇率：报告未做统一折算，韩元/日元/新台币/欧元金额均保留原币种，美元换算处已注明来源汇率假设。

　　附录 B：主要未决/分歧数据清单（择要）

• 上海微电子 SSA800 全部量产参数与交付信息：自媒体来源，官方零确认，本文仅作传闻分层处理。

• 新凯来财务预测（2025 年 45 亿/2026 年 75 亿营收）与 110 亿美元估值：媒体援引融资材料，非审计数据。

• 2026 年中国 WFE 方向：SEMI（回落）vs 伯恩斯坦（+10%）——机构级分歧，并列呈现。

• HBM 2026 市场规模：450 亿（高盛）~600 亿（Yole）。

• 北方华创/中微新签订单额：卖方估算，公司未披露。

• 美光 FY2027 CAPEX “>mid-40B”、SK 海力士纳斯达克 ADR：单一来源/聚合媒体，待公司确认。

• OpenAI 1.4 万亿承诺：口头表述，多为意向框架，英伟达 1，000 亿部分已报道“停滞”。

• 高盛 WFE 数字：仅经中文聚合媒体转述。

• 台积电 CoWoS 2026 年末 130K/月：媒体估算，非官方。

• 五步宏观账（1.6）：业内推演框架（单 GW 投资 250–450 亿美元、“投 1 挣 4”、AI 拉动 GDP 10% 等均为情景假设），属情景测算而非预测。

• WSTS 2026 年 1.51 万亿美元/+90%/存储约 +250%：WSTS 官网 2026 年 6 月春季预测已确认；2027 年约 1.9 万亿美元及 DRAM +125%/NAND +234% 的涨价拆分为媒体转述口径。

• 苹果 M4 交货期 16–18 周、AI 客户同片晶圆出价高约 50%：据报道/渠道口径。

• H100 一年期租约价格半年反弹约 38%、现货三年跌约七成：据报道（与 1.5 的 Blackwell 现货 +48% 为不同标的与期限）。

• SK 海力士为 HBM4 一次采购约 200 台测试机：业内流传，未经双方确认（对 ASML 的 80 亿美元 EUV 订单则为双方披露事实）。

• 中国单颗芯片晶体管≈英伟达 1/3–1/2：基于制程密度与 DUV 大芯片良率的推算，与第三方拆解结论同向，非官方数据。

• 谷歌 TPU/Gemini“推迟近一年”三幕复盘（4.5）与 TeraFab 月产 100 万片：业内复盘叙事/马斯克规划口径，时点与因果为定性表述。

• 韩国扩产计划口径：CNBC/CNN/Tom‘s Hardware（2026-06-29）确认“西南半导体生态”约 800 万亿韩元（三星/海力士各约 400 万亿、四座新厂含 HBM 设施）与三星集团约 1，000 万亿韩元十年纲要；“三星累计 2，655 万亿韩元/海力士累计 1，100 万亿韩元”为部分媒体与卖方的更宽口径，统计期限与范围不一；年化换算均为推算。

• 零部件调研数据（第六章：交期 3–4 个月→6–8 个月至一年+、靶材 +20%/密封圈 20–30%/管阀件与石英约 15%/单晶硅电极 15%+/射频电源与分子泵约 10%/陶瓷 10%+、TOTO“交期无限拉长”、ASML 与富创接洽、海外龙头来华寻源、在手订单同比约 +50%、珂玛海外订单约 +100%）：卖方渠道调研与业内流传，未经相关公司确认。

• 零部件厂商扩产幅度（富创产值 30→100→200 亿元、珂玛加热盘翻倍、华亚智能翻倍、新莱 +80%、神工 +200%、英杰/恒运昌大幅提升）与 2025/2028 供需推演表（含利润率 10%→30% 级情景）、“国产设备订单向数千亿元演绎”：卖方调研与情景推演，含多重假设；其板块/个股市值测算一律未采用。

• 2nm 较 3nm 成本 +40% 且收益微弱、华为新一代麒麟等效 7–10nm、两层→三/四层堆叠、“堆叠定律”：业内交流口径，未经官方或拆解确认。

• 2025 年设备商份额榜（ASML 23.6%/应材 17.8%/泛林 14%/东电 10.6%/科磊 8.6%）：卖方基于 Gartner 调整后 WFE 口径（2026-04）；与“北方华创超越科磊居第五”的国内卖方口径统计范围不同（是否含服务与非 WFE 业务），两说并存、引用注明。

• 美银“WFE 超级周期起点”（1，310 亿/+10%）、资本密集度 12–13% 与约 200 亿美元上修空间、2030 年 WFE 或近 3，000 亿美元：美银 2026-01/04 报告口径。

• CapEx→WFE 拆解模型（4.6：2028 年 CapEx 约 3，600 亿/WFE 约 2，475 亿、2027/28 供需缺口 14%/14%、台积电 2027/28 年 750/850 亿美元）与 EUV 供需差（-25/-40/-42 台至 2029 收敛）及曝光系数：卖方自下而上模型，假设密集，均为情景推演。

• 设备涨价信号（5.7：东京电子三步走与利润率目标、SCREEN 涨价获客户接受、SK 海力士收到 3–4% 涨价要求、ASML 新 EUV ASP 上探约 60%）：伯恩斯坦 2026-06-15 报告及其援引新闻，幅度与落地节奏待财报验证。

• NAND“主动推理层”（KV Cache Offloading、英伟达 Rubin NVL72 DRAM 容量减半、苹果/AMD/铠侠动作）与云厂资本开支 +84%/+56%/+38% 路径：花旗 2026-06-17 报告口径，其中 Rubin DRAM 减半为报道转述。

• 长鑫存储×腾讯逾 200 亿元服务器 DRAM 多年期协议：媒体报道、高盛 2026-07-01 转述，公司未公告。

• 高盛将北方华创/中微/盛美/安集估值法切换至“2030 年折现”：本文仅采用方法论切换信号，其盈利预测与目标价一律未采用。

　　数据来源

　　一手来源：各公司 SEC 8-K/10-Q/6-K、财报新闻稿与电话会记录（ASML/TSMC/NVIDIA/Micron/Oracle/AMAT/Lam/KLA/TEL/Advantest 等官方 IR）、SEMI（WWSEMS/年终预测/World Fab Forecast/300mm Outlook）、WSTS（2026 年 6 月春季预测）、中国 A 股公司年报与一季报（巨潮资讯）。

　　二手与分析来源：SemiAnalysis、TrendForce、TechInsights、Yole、Counterpoint、Dell‘Oro、Gartner（公开部分）、彭博/路透/CNBC/日经/财联社/证券时报，以及摩根士丹利、摩根大通、高盛、UBS、伯恩斯坦、Mizuho、花旗、巴克莱、美银等卖方观点的公开转述与报告原文（2026 年 1–7 月八份设备行业报告与 CapEx→WFE 拆解模型，存档备查）。