国泰海通：TCB确定性放量 混合键合平台化打开第二成长曲线

国泰海通发布研报称，AI/HPC推动GPU/ASIC和HBM的需求扩张，TCB设备是当前确定性最高的设备环节之一。HBM4e/5以及3DLogic等高密度互连需求将推动D2WHB逐步渗透，HBM早期有望从关键界面开始导入，随着堆叠层数和互联要求的提升持续扩大HB在高端键合的渗透率。键合设备有望成为先进封装设备价值量向前中道延伸的重要节点。

国泰海通主要观点如下：

AI/HPC推动先进封装资本开支向中后道设备传导，TCB设备是当前确定性最高的设备环节之一

该行认为，AI/HPC推动GPU/ASIC和HBM的需求扩张，随着HBM堆叠层数提升和2.5D/3D封装的渗透率提升，传统倒装封装在互连精度、翘曲控制及超微间距互连方面面临约束，TCB凭借高精度对准及温度、压力可控等优势成为HBM的主流方案。而Pitch间距的缩小也将推动TCB设备部分向Fluxless TCB迁移，目前Fluxless TCB已在逻辑领域获得订单，存储厂商已开始进行HBM4e相关验证。

混合键合具备高互连密度、低功耗及低热阻优势，随着HBM与3DLogic升级，有望成为核心技术方向

尽管混合键合前期需投入大量成本，但其所带来的互连密度、带宽密度和能效方面具备明显优势，且依靠规模效应，HB的单互连成本亦有望显著低于TCB。该行认为，HBM4e/5以及3DLogic等高密度互连需求将推动D2WHB逐步渗透，HBM早期有望从关键界面开始导入，随着堆叠层数和互联要求的提升持续扩大HB在高端键合的渗透率。

混合键合的投资价值不仅在于设备需求的增长，更在于平台化带来的设备价值的提升及产业链价值外溢

该行认为，D2W混合键合对晶圆表面平整度、洁净度、活化及对准精度等方面提出了更高的要求，推动键合设备从单一主机向集成清洗、等离子活化及原位计量的一体化平台演进。AMAT与Besi合作的Kinex、SUSS的D2W/W2W平台均体现出设备的平台化趋势。随着混合键合设备进入量产，清洗、CMP、量测等环节亦有望受益于工艺规格的升级，键合设备有望成为先进封装设备价值量向前中道延伸的重要节点。

短期看TCB订单弹性，中长期看HB平台化能力

该行认为，ASMPT兼具先进逻辑及HBMTCB需求，并向Fluxless TCB和HB延伸，具备较强的短中期业绩弹性;Besi产品覆盖FC，TCB和HB，在混合键合客户和平台化能力方面具备领先优势，长期受益于HB渗透率的提升;Hanmi则深度绑定HBM客户，仍是当前HBM扩产的受益者;K&S则凭借Fluxless TCB切入高端键合市场，具备长期追赶空间。

风险提示：AI下游需求不及预期风险;核心设备交期延长限制产能扩张风险;HBM采用混合键合时点延后风险;技术替代与路线分化风险。