安森德半导体100V 2.8mR MOS集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，深圳安森德半导体有限公司提交的100V 2.8mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N10MA1）正式获得国家知识产权局发布的布图设计专有权公告，标志着该款功率半导体相关的核心布图设计的知识产权得到官方确认，将为企业后续相关产品的市场化推广和权益保护提供坚实的制度支撑。

本次公告的布图设计针对100V电压等级、2.8毫欧导通电阻的MOS器件进行专属电路布局优化，相关创作团队完成设计后按要求提交申请，经过国家知识产权局的规范审核流程后正式进入公告环节，是国内半导体设计企业在功率器件细分领域自主研发的又一落地成果。

从本次公告披露的完整信息来看，该布图设计的创作完成日为2025年12月4日，由顾志国、陈兵、赵江峰、田园农四名研发人员共同完成创作，权利人深圳安森德半导体有限公司于2026年4月8日正式向国家知识产权局提交布图设计登记申请，该布图设计还于2026年4月23日完成首次商业利用，经过审核流程后，国家知识产权局于2026年9月2日正式发布相关公告，对应的布图设计登记号为BS.26555036X，公告号为98905，这款100V 2.8mR MOS集成电路布图设计（ASS4880N10MA1）的专有权相关信息正式向社会公开，也为行业内同类功率半导体布图设计的知识产权保护提供了可参考的合规样本。

天眼查数据显示，深圳安森德半导体有限公司成立日期2018年6月7日，法定代表人陈兵，所属行业为软件和信息技术服务业，企业类型为有限责任公司，企业规模为小型，参保人数33人，注册资本2200万人民币，实缴资本2119.589562万人民币，注册地址为深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区坂澜大道107号深圳工业软件园1栋D座803。股东信息如下：

综合点评
本次安森德半导体的100V 2.8mR MOS集成电路布图设计获国家知识产权局专有权公告，是其在功率器件细分领域自主研发的重要落地成果。该官方确权既为企业后续产品市场化推广扫清知识产权层面的合规障碍，也为自身技术权益保护提供了坚实制度支撑，进一步夯实了其在功率半导体赛道的自主技术壁垒。

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