导读:存储芯片迎涨价周期
(来源:中华工商时报)
转自:中华工商时报
日前,存储售价再度上调。这并不是存储第一次调价,实际上自去年开始,全球存储市场延续强势上涨态势,DRAM、NAND、HBM等核心品类价格持续攀升。
据悉,本轮涨价主要是受AI算力需求驱动,涨价已从上游原厂传导至消费电子、云计算、智能汽车等全产业链。面对全球供应链波动,我国正加快存储产业自主可控步伐。
存储芯片价格全线飙升
截至2026年7月,全球存储芯片涨价已进入连续第三个季度,量价齐升态势明显,多项价格数据刷新历史纪录。据悉,三星电子计划将2026年第三季度通用DRAM平均售价环比上调20%,LPDDR移动端内存涨幅超20%。
TrendForce集邦咨询数据显示,2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺,但因消费级应用需求下修及高基期作用,合约价涨幅收敛,预计将季增13%至18%。NANDFlash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑,但因合约价格已达历史高点,消费端客户在需求放缓的情况下,对价格承受力已达极限,预估整体NANDFlash合约价将季增10%至15%,幅度较前几季明显缩减。
与此同时,瑞银大幅上调存储价格预期,预计第三季度DDR合约价格将环比上涨32%,第四季度环比上涨18%。从供需结构来看,瑞银认为DRAM行业供需紧张局面将至少持续至2028年上半年。若不考虑下游客户库存回补的缓冲效应,2027年实际供需缺口将从2026年的-8.1%进一步扩大至-13.6%,失衡程度达到过去30年来罕见水平。
从细分品类看,高端存储与利基存储同步紧缺。HBM高带宽内存全年产能缺口达50%至60%,订单排至2027年一季度;车规级存储芯片受AI车载系统拉动,3至6月国内均价涨幅达180%;消费端DDR5内存、固态硬盘价格较2025年末翻倍,华强北等分销市场出现“一天三价”现象,经销商普遍建议非刚需暂缓采购。
行业规模同步扩张,IDC预计2026年全球DRAM市场营收达4186亿美元,同比增长177%;NAND市场营收达1741亿美元,同比增长138.5%,存储产业全年总产值突破5500亿美元,服务器存储取代手机成为第一大需求场景。
AI需求与供给收缩共推涨价
事实上,本轮存储涨价并非短期调整,随着AI算力快速发展,AI算力对存储的需求爆发式增长,单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8至10倍,NAND用量达3倍以上,全球超大规模数据中心扩建与大模型训练推理的需求,形成对存储的持续需求。
供给端呈现“弃低追高”的产能倾斜。三星、SK海力士、美光三大原厂将80%以上先进产能转向HBM、高端DDR5等高毛利产品,传统消费级存储与利基型存储产能被压缩至20%以下。同时,2025年行业深度亏损后,原厂普遍采取控产保价策略,全球DRAM供应同比增长仅16%,NAND供应增长17%,远低于需求增速,行业库存降至2周至4周历史低位。
供给扰动进一步加剧紧张格局。三星作为全球存储龙头,DRAM市占率超60%,其产能波动直接影响全球供给;叠加晶圆代工成熟制程紧张、设备交付周期延长,短期内产能难以快速释放。高盛研报判断,当前全球存储供需失衡达到近15年峰值,AI需求持续透支供给,价格上涨具备强支撑。
涨价已完成全产业链传导。3月阿里云、百度智能云上调AI算力与存储服务价格,最高涨幅34%;苹果、微软于6月上调终端产品售价,涨幅18%至54%;OPPO、vivo等手机厂商跟进调价,内存成本在终端BOM占比从10%至15%攀升至20%以上,中低端机型占比超40%,全行业进入成本承压期。
国产存储加速突围稳链强链
随着存储涨价,国产存储持续发力。国内头部企业加快产能释放与产品迭代,长鑫存储调整产能结构、长江存储在3DNAND领域持续突破。产业链企业充分受益涨价红利,7月3日江波龙发布半年报预告,归母净利润92亿元至110亿元,同比增长622倍至744倍。此外,佰维存储、北京君正等企业业绩大幅增长。
工业和信息化部在4月国新办发布会上明确表示,将多措并举支持存储器产业发展,保障产业链供应链稳定;将增强供给能力、促进供需对接,鼓励内外资企业加大投资力度,提升产出能力。支持终端企业与存储器企业加强互动对接,拓宽多元化供应渠道;还将通过多种手段维护市场秩序,引导存储器企业加强渠道管理,配合相关部门依法打击“囤积居奇”等扰乱市场行为。
业内专家表示,本轮存储超级周期既是挑战也是机遇。短期看,价格上涨将推动下游企业优化成本、提升效率;长期看,AI驱动存储需求常态化增长,将加速国产替代进程。随着国家大基金支持、产能扩建与技术突破落地,我国存储自给率将稳步提升,预计2028年突破30%,形成自主可控、安全高效的产业体系,为数字经济发展提供坚实硬件支撑。
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